UMC будет внедрять high-k диэлектрики в рамках 32 нм техпроцесса

Компания TSMC недавно заявила о готовности начать массовое производство изделий по 40 нм технологии, а также поделилась планами по освоению 32 нм и 28 нм техпроцессов. Если первый она считает промежуточным этапом на пути к 28 нм технологии, то непосредственно 28 нм техпроцесс приносит существенные нововведения типа транзисторов с металлическим затвором и материалов с высоким значением диэлектрической константы (high-k).

Сайт EE Times сообщил, что компания UMC, которая является ближайшим соседом и конкурентом TSMC, уже опробовала применение high-k диэлектриков в рамках 45 нм техпроцесса, выпустив образцы ячеек памяти SRAM соответствующего размера. В массовом производстве UMC планирует начать применение high-k диэлектриков только в 2010 году, когда будет сделан переход на 32 нм техпроцесс. Таким образом, UMC по темпам освоения этой технологии готова не только опередить TSMC, но и не отставать от IBM и AMD, которые начнут использовать high-k материалы в рамках 32 нм технологии с применением иммерсионной литографии.

Компания UMC уже выпустила образцы 28 нм ячеек памяти в октябре этого года, а серийное производство 28 нм изделий будет развёрнуто в 2010 году. Для производства опытного образца 28 нм ячейки памяти применялись иммерсионная литография, но UMC пока обошлась без использования high-k диэлектриков. Последние найдут применение в 32 нм и 28 нм чипах с высоким быстродействием, но UMC готова внедрить high-k диэлектрики и при производстве устройств с низким уровнем энергопотребления, если это понадобится заказчику. Напомним, что UMC производит видеочипы по заказам AMD и NVIDIA, а также обслуживает других разработчиков.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 4.7 из 5
голосов: 18

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают