Чем хороша литография с использованием сверхжёсткого ультрафиолетового излучения, чаще упоминаемая в виде аббревиатуры EUV, мы узнали ещё в 2005 году благодаря компании Intel, которая рассчитывает внедрить эту технологию в рамках своего 32 нм (0.032 мкм) техпроцесса. Если сегодняшние литографические инструменты с длиной волны 193 нм позволяют создавать элементы с минимальными размерами 40-50 нм, то EUV-литография способна создавать транзисторы при помощи лазера с длиной волны 13,5 нм, то есть использовать в 14 раз более тонкую "кисть".

Некоторые сведения о планах IBM по переходу на EUV-литографию на прошлой неделе опубликовал сайт EE Times. По мнению экспертов, масштабирование современной иммерсионной литографии с использованием 193 нм инструментов за пределы 40 нм техпроцесса сопряжено с определёнными техническими трудностями, и переход на EUV-литографию многим казался решением проблемы. Планировалось, что внедрение этой технологии начнётся в 2009 году, в производственной программе IBM совпадая с моментом перехода на 32 нм техпроцесс.

Однако, представители IBM на прошлой неделе заявили, что иммерсионная литография с длиной волны 193 нм будет использована и при производстве 22 нм (0.022 мкм) изделий, что откладывает сроки внедрения EUV-литографии на более поздний период. Проблема в том, что IBM не успеет внедрить EUV-литографию к 2009 году, хотя какие-то разработки в данной сфере к этому времени будут активно вестись. Возможно, активное использование EUV-технологий начнётся только в следующем десятилетии, так как даже выпуск 22 нм продуктов IBM планирует осуществлять с использованием усовершенствованной 193 нм иммерсионной литографии.

Такие задержки не окажут влияние на график освоения ближайших технологических норм. В конце 2007 года IBM начнёт освоение 45 нм технологии, об успехах в этой сфере компания уже отчиталась. В рамках этого техпроцесса планируется использовать 193 нм иммерсионную литографию. Соответственно, эти же инструменты с необходимыми модификациями будут применяться и для производства 32 нм продуктов в 2009 году. Хотелось бы верить, что приверженность уже известным литографическим технологиям в известной мере спасёт IBM от проблем при переходе на очередные технологические нормы.

Многие партнёры IBM будут следовать аналогичному графику модернизации литографической технологии. В их числе будут AMD и Chartered Semiconductor, а также Infineon и Micron. Компании TSMC и UMC начнут использовать иммерсионную литографию в рамках 45 нм техпроцесса или даже раньше.

Компания Intel собирается идти своим путём: при производстве 45 нм процессоров она откажется от иммерсионной литографии с применением специального слоя жидкости между проецирующей линзой и кремниевой пластиной в пользу традиционной "сухой" 193 нм литографии. Аналогичный "сухой" вариант 193 нм литографии сейчас использует IBM для производства своих 65 нм продуктов. Для производства 32 нм процессоров Intel может как применить EUV-литографию, как уже обещалось, так и внедрить иммерсионную литографию. По оценке наших коллег с сайта EE Times, внедрение EUV-технологии компанией Intel более вероятно уже в последующих за 32 нм техпроцессах.