Германий позволит AMD повысить быстродействие транзисторов на 40%

7 декабря 2005, среда 08:57
Компании IBM и AMD продолжают сотрудничать в технологической сфере, что позволяет последней успешно внедрять новые техпроцессы. Как сообщается в опубликованном вчера на сайте AMD пресс-релизе, на проходящей в эти дни конференции IEDM 2005 обе компании отчитались об успехах в подготовке 0.065 мкм техпроцесса к массовому производству. Как вы можете помнить, AMD начнёт выпускать 0.065 мкм процессоры во второй половине 2006 года, а к середине 2007 года планирует полностью перевести производство на 0.065 мкм техпроцесс.

Итак, в обозримом будущем AMD начнёт использовать три технологии, обеспечивающие улучшение характеристик выпускаемых процессоров в части быстродействия и энергопотребления:

  • Embedded Silicon Germanium (e-SiGe) - внедряемое соединение кремния и германия. Вокруг транзистора p-типа создаётся канавка, заполняемая соединением германия. Призвана увеличить плотность размещения атомов.
  • Stress Memorization Technology (SMT) - технология "запоминания" напряжённого состояния. Используется применительно к транзисторам n-типа. Призвана уменьшить плотность размещения атомов.
  • Dual Stress Liner (DSL) - уже известная по 0.13 мкм версии Athlon 64 FX-55 и старшим моделям 0.09 мкм Athlon 64 технология "растянутого кремния". В данный момент достигла третьего поколения в своём развитии.

Не вдаваясь в технические подробности, сообщим, что сочетание этих трёх технологий теоретически позволяет повысить быстродействие транзисторов на 40%, либо на эти же 40% снизить уровень энергопотребления при сохранении неизменного уровня быстродействия. AMD собирается также использовать диэлектрики с более низким значением диэлектрической константы (low-k). Важно, что нынешний вариант технологии SiGe требует значительно меньших объёмов германия, и это позволяет добиться некоторой экономии, а также простоты изготовления.

AMD собирается применять рассмотренные технологии при производстве 0.065 мкм процессоров, хотя ничто не мешает внедрить какие-то элементы ещё на стадии производства 0.09 мкм процессоров. Например, чтобы повысить частотный потенциал или снизить уровень энергопотребления новых моделей 0.09 мкм процессоров, выпускаемых в следующем году. Более того, первые ревизии 0.065 мкм процессоров могут отказаться от использования этих сложных технологий с целью снижения риска задержки миграции на 0.065 мкм техпроцесс.

Практические значения прироста частотного потенциала или экономии энергии могут существенно отличаться от теоретических 40%, но внедрение новых технологий всё равно улучшает характеристики процессоров. Будем надеяться, что на разгонном потенциале процессоров AMD эти нововведения скажутся лучшим образом.

Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают