Хотя рождественские каникулы у некоторой части зарубежных коллег уже кончились, пополнять новостную колонку в эти дни мы планировали в том числе и за счет сообщений из форумов. Если кто-то и проводит время у камина и стола с рождественским гусем, некоторая часть энтузиастов не упускает возможности протестировать недавно приобретенное железо на разгон :).

Например, в форуме сингапурского сайта VR-Zone появились сообщения о результатах разгона процессора Winchester 3000+, выпущенного на 48-ой неделе прошлого года. Напомним, что не так давно в Сети блуждал миф о "45-ой неделе" , согласно которому все 0.09 мкм процессоры AMD должны были перейти на использование "растянутого кремния" (strained silicon) с начала ноября. В дальнейшем этот миф был во многом развеян, так как использовать технологию Dual Stress Liner в серийных 0.09 мкм процессорах AMD собиралась только в январе этого года. Между тем, появившийся в руках наших сингапурских (точнее говоря, тайваньских) коллег процессор был выпущен в конце ноября, что как раз позволяло проверить "теорию 45-ой недели".

В качестве каркаса для тестовой системы использовалась материнская плата MSI K8N Neo4 Platinum (MS-7125), запомнившаяся нашим читателям за счет реализации режима SLI силами чипсета nForce 4 Ultra. Если не брать в расчет эту интересную особенность, в плане оверклокерского потенциала плата не должна была разочаровать. Собственно, честь семейства nForce 4 она не запятнала - процессор удалось разогнать по шине до 400 МГц!

Нельзя сказать, что это был "огромный скачок для всего человечества", ведь прежние чипсеты позволяли после модификации материнских плат разгонять процессоры Athlon 64 до 370 МГц по шине. Тем не менее, чипсету nForce 4 Ultra подобные фокусы даются легче, если производитель платы не зарубит его таланты "на корню".

Не будем забывать и о заслугах процессора - он разогнался до 2.8 ГГц с использованием воздушного охлаждения. Нельзя сказать, что это рекордный показатель, и что все аналогичные процессоры достигают этой частоты, но определенный оптимизм данный результат внушает.

Кстати, память удалось разогнать до частоты 650 МГц DDR при таймингах 2.5-4-3-5. Использовались модули G-Skill DDR600 на чипах Samsung серии TCCD, способные работать на частоте 600 МГц DDR при таймингах 2.5-4-4-8. Это еще раз доказывает отличный разгонный потенциал памяти на чипах этой серии. Приятно, что такую память теоретически можно найти в OEM-варианте в обычных магазинах, правда, в массовой доступности ручаться мы не беремся.

Будем надеяться, что в скором времени мы сможем увидеть результаты разгона первых инженерных образцов процессоров AMD, основанных на 0.09 мкм техпроцессе второго поколения, использующего технологию Dual Stress Liner (strained silicon).