Процессоры AMD перейдут на использование Strained Silicon уже осенью

Хотя AMD никогда не отрицала важности технологий типа SOI, strained silicon и metal gate для улучшения частотных и электрических характеристик собственных процессоров, освоить все три она собиралась только при переходе на 0.045 мкм техпроцесс. Лишь недавно представители компании обмолвились о том, что технология растянутого кремния (strained silicon) будет использоваться уже при производстве 0.09 мкм процессоров.

Если оглянуться на успехи конкурентов, то Intel использует эту технологию с февраля 2004 года для производства процессоров на ядре Prescott. Компания IBM работает над объединением технологии SOI и strained silicon в гибридном варианте по имени SSDOI.

В любых версиях технология растянутого кремния направлена на снижение токов утечки, неизбежно возникающих по мере перехода к новым техпроцессам, уменьшающим размеры транзисторов микропроцессора. В "напряженном кремнии" атомы расположены несколько дальше друг от друга, что позволяет снизить воздействие атомарных сил на движущиеся между ними электроны. Атомы кремния "раздвигаются" путем вставки атомов германия в кристаллическую решетку кремния. В реализации Intel данная технология позволяла снизить уровень токов утечки от 10% до 25%.

Интересно, что AMD действительно начнет использовать разновидность технологии strained silicon при производстве не только всех 0.09 мкм процессоров, поставки которых уже начались, но и части 0.13 мкм процессоров, которые выйдут до конца года! О каких 0.13 мкм процессорах идет речь, остается только догадываться, но мы можем предположить, что подразумевается Athlon 64 FX-55, работающий на частоте 2.6 ГГц. Кроме того, в качестве "бесплатного бонуса" AMD может перевести на использование strained silicon часть процессоров Athlon 64 на ядре Newcastle.

Интересно, что введение растянутого кремния заставило AMD увеличить число слоев в кристалле ядра. В свое время подобный шаг был предпринят при переходе на ядро Thoroughbred-B, и оверклокерские достижения этих процессоров до сих пор впечатляют любителей разгона.

Компания Intel тоже перешла на использования восьмислойного кристалла при производстве процессоров Pentium 4 XE на 0.13 мкм ядре Gallatin, что позволило поднять частотный потенциал ядра до отметки 3.46 ГГц, а в перспективе даже освоить частоту 3.6 ГГц. Надо полагать, похожая "перестройка" ядер процессоров AMD позволит улучшить разгонные характеристики.

Заметим, что она вряд ли коснется процессоров в исполнении Socket A. Развитие этой линейки AMD видит только в рамках семейства Sempron, но в этом бюджетном секторе не планирует проводить дорогостоящей модернизации ядер или техпроцесса.

Представители AMD сообщают об отличиях технологии растянутого кремния от используемых конкурентами версий. AMD использует "точечный" подход, и применяет растянутый кремний только в тех участках ядра, где это нужно. Высокая степень автоматизации производственного процесса позволяет это сделать без особых затруднений.

Остается загадкой, как подобные мероприятия отразятся на разгонном потенциале процессоров AMD, и будут ли выпущены новые ревизии 0.13 мкм ядер AMD64. Будем надеяться, что этой осенью компания все же обрадует оверклокеров новыми победами на технологическом фронте :).

Кстати, процессоры на транзисторах с металлическим затвором (metal gate) будут выпущены AMD в рамках 0.045 мкм техпроцесса, который она рассчитывает начать осваивать в 2007 году. К тому моменту на одном кристалле будут размещаться четыре ядра или даже больше.

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают