Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв

реклама

На страницах нашего сайта не раз говорилось о том, что выбор модулей памяти - это чистейшей воды лотерея, так как результаты разгона обычно имеют низкую степень повторяемости. Тем не менее, некоторые отличительные признаки позволяют отбирать модули памяти для разгона с хорошей гарантией достижения высоких частот.

С другой стороны, рост популярности платформы AMD64 и появление платформы LGA 775 позволяют утверждать, что сейчас для памяти в большей степени актуальны низкие задержки, чем частотный потенциал. В самом деле, выпуск модулей DDR 500 освоили все "народные бренды", а вот низкими задержками при этом могут похвастаться не все. Память DDR-I проигрывает DDR-II по частотному потенциалу, но за счет более низких задержек обеспечивает уверенное превосходство по уровню производительности. Кроме того, DDR-I имеет более низкую цену и гораздо больше распространена - для платформы LGA 775 она пока является лучшим выбором.

Идеальная память наших дней должна прилично масштабироваться по частоте, иметь низкие задержки на максимально широком диапазоне частот, и при этом не требовать чрезмерного повышения напряжения при разгоне. Как мы уже сообщали, многими качествами из этого перечня обладает память на чипах Samsung с маркировкой TCCD. Оверклокерские бренды OCZ и Corsair смогли оценить все преимущества этой памяти, но не торопились уступать дефицитные чипы розничному сегменту.

реклама

Тем не менее, наши коллеги на французском сайте x86-secret с радостью сообщают, что OEM-модули памяти Samsung с маркировкой TCCD можно купить в рознице. Приобретя одну планку объемом 256 Мб, они смогли разогнать ее на материнской плате класса NForce 3 250Gb до частоты 700 МГц DDR синхронно с процессорной шиной Athlon 64.

Честно говоря, стабильности на этой частоте добиться не удалось, но после снижения частоты шины до 340 МГц система работала устойчиво. Примечательно, что напряжение на памяти составляло всего 2.85 В, что для подобных частот ранее было недостижимо.

Тайминги 3.0-5-4-8 нельзя назвать рекордно низкими, но при желании можно подобрать сочетание таймингов и частоты, обеспечивающее наилучшую производительность.

Смеем предположить, что модули памяти Samsung TCCD (имеются в виду последние четыре символа в маркировке чипов памяти) на платформе Intel будут демонстрировать не менее впечатляющие результаты. Что ж, наши прогнозы сбываются - на дворе лето, и модули памяти на чипах серии TCCD поступают в продажу. Остается лишь вооружиться острым зрением, и отправиться изучать витрины близлежащих компьютерных магазинов :).

Сейчас обсуждают