В ходе обобщения результатов первых обзоров платформы LGA 775 мы уже сформировали достаточно объективное представление о возможностях памяти типа DDR-II. Высокая пропускная способность и оптимизация на работу с новыми чипсетами и процессорами не позволяли в полной мере компенсировать высокие задержки памяти этого типа, и вся надежда возлагалась на разгон.

Теоретически, память типа DDR-II должна была отлично масштабироваться по частоте, и оставалось лишь проверить это предположение на практике. Это решили сделать сотрудники сайта Legit Reviews, подвергнувшие разгону модули DDR2-533 производства Crucial на чипах Micron, имеющие тайминги 4-4-4-12 и номинальное напряжение питания 1.8 В.

Прежде всего, немного успокоим тех, кто был испуган вчерашней заметкой про ограничение разгона в новых чипсетах Intel. Материнские платы Abit продолжают радовать оверклокеров – в данном случае модель AA8-DuraMax на базе чипсета i925X позволила разогнать инженерный образец Pentium 4 560 до 270 МГц по шине.

Это еще раз доказывает, что оверклокерам опасаться нечего – подобного запаса хватит даже для разгона младших моделей Prescott с зафиксированным множителем.

Если говорить непосредственно о результатах разгона памяти DDR2-533, то при такой частоте системной шины пришлось использовать повышающие делители частоты шины памяти, равные "4:3". Прежде всего, при частоте системной шины 250 МГц память удалось разогнать до 667 МГц DDR, что соответствует режиму DDR2-667. Многие обозреватели отмечали, что подобный режим дается памяти DDR2-533 без проблем.

Кстати, и напряжение на памяти не пришлось задирать, как это происходит в случае разгона DDR-I. Оно было увеличено на 0.1 В от номинала, достигнув 1.9 В.

Далее решено было покорить частоту шины 270 МГц, и при делителе "4:3" частота памяти составила 772 МГц DDR. Пропускная способность по тесту SiSoft Sandra при этом возросла до 6651 Мб/с.

Нужно отметить, что даже при впечатляющем превосходстве импровизированной памяти DDR2-772 над двухканальной DDR 400, оверклокерские модули поколения DDR-I в разгоне обеспечивают сопоставимые результаты, во многом благодаря низким таймингам. Например, DDR 500 при таймингах 2-2-2-7 и напряжении 3.18 В превосходит показатели DDR2-667 при таймингах 4-4-4-12. Естественно, что для разгона DDR-I до подобного уровня производительности часто используются вольтмоды и разные ухищрения, в то время как DDR2-533 покоряет эту высоту как бы шутя.

Вот и маркировка этих самых модулей DDR2-533, если кто-то в будущем планирует отбирать память для разгона. Скорее всего, подобные результаты достижимы на большинстве продающихся модулей DDR2-533. Известно, что некоторые бренды предложат DDR2-533 с уменьшенными задержками, и тогда противостояние DDR-I и DDR-II в разгоне развернется с новой силой.