AMD говорит о 0.045 мкм технологиях подробно

Поскольку недавно компания Intel отчиталась об успешном начале освоения 0.065 мкм техпроцесса, мировая общественность ждала ответного хода от AMD, которая осваивает литографические и полупроводниковые технологии в тесном сотрудничестве с IBM. На днях страницы виртуального зала для пресс-конференций были озарены сообщением о сути концепций, которые будут применяться для производства чипов по 0.045 мкм техпроцессу.

Прежде всего, обозначим временные перспективы – переход на 0.045 мкм техпроцесс состоится не ранее 2007 года, причем такой график справедлив и для планов Intel. Одной из ключевых характеристик в проектировании полупроводниковых устройств остается размер затвора – именно эта величина определяет плотность размещения транзисторов на кристалле, что, в конечном счете, сказывается на производительности процессора. В планах Intel 0.045 мкм техпроцессу сопоставляется размер затвора, равный 25 нм. Представители AMD заявляют, что смогут уменьшить величину затвора до 20 нм. Это в два с половиной раза меньше, чем у осваиваемого сейчас 0.09 мкм техпроцесса. AMD надеется и на пропорциональный рост производительности своих процессоров к 2007 году :).

Разумеется, что объективные физические барьеры, с которыми сталкивается Intel на пути "утончения" техпроцессов, предстанут и перед AMD. Уменьшая размеры затвора, важно решить две задачи: поддержать ток утечки на низком уровне (когда транзистор выключен) и поднять ток возбуждения до максимального значения во включенном состоянии. AMD утверждает, что смогла "убить двух зайцев сразу", предложив комплексный подход к решению проблемы.

Собственно говоря, самым революционным шагом станет поддержка одним транзистором трех затворов. Все остальные технологии являются разновидностями уже существующих:

  • Fully Depleted SOI (FDSOI) ("кремний-на-изоляторе" с полной очисткой) – дальнейшее развитие технологии SOI, увеличивающее быстродействие и экономию энергии.
  • Metal Gate (металлический затвор) – затворы из соединений никеля и кремния, подобный подход предлагается Intel, но AMD может обходиться без high-k материалов.
  • Locally Strained Channel (канал с локальным растяжением) – некоторое подобие технологии Strained Silicon (растянутый кремний), применяемой Intel.

Использование технологий low-k происходит уже сейчас на фабрике Fab 30 при производстве 0.13 мкм ядер. В сочетании с технологиями SOI и прогрессивными средствами автоматизации это позволило компании добиться рекордного прогресса в увеличении выхода годных кристаллов, а также снизить уровень энергопотребления чипов. В будущем году компания выпустит версии Opteron с низким уровнем энергопотребления, что позволит потребителям обзавестись мощными серверами, не требующими классического усиленного охлаждения.

Надеемся, что все эти нововведения в паре с эффективной гибридной 32/64-битной архитектурой позволят AMD выпустить высокопроизводительные процессоры, которые не будут выделять дикое количество тепла. По крайней мере, сейчас подобный паритет сохраняется – процессоры Athlon 64 FX нагреваются гораздо меньше старших моделей Pentium 4, однако в плане производительности они во многом сопоставимы. Понятно, что их реальная тактовая частота сильно различается, но ведь конечному потребителю важнее реальный уровень производительности, а не "воздушные гигагерцы" :).

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 1.0 из 5
голосов: 1

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают