Какая комбинация памяти лучше походит для i865PE?

Сотрудники нашей лаборатории уже относительно давно бьются над разрешением загадки работы чипсета i865PE с различными модулями памяти, и наибольших успехов в относительно вразумительном объяснении некоторых аномалий добились Doors4ever и TOPMO3. Точнее говоря, первый заподозрил, что при использовании понижающего коэффициента 3:2 память работает иногда быстрее, чем при использовании коэффициента 5:4. Второй предложил следующую гипотезу: при использовании делителя 3:2 чипсет выставляет более агрессивные тайминги, и это часто мешает разгону до 300 МГц по шине при использовании обычной памяти DDR 400. Первое наблюдение лишь подтверждает второе, поэтому чипсет i865PE взаимодействует с памятью несколько замысловато...

"О, сколько нам открытий чудных готовит... чипсет i865PE" – так можно было бы назвать исследование, которое было проведено сотрудниками сайта AnandTech. Они решили выяснить экспериментальным путем, какая комбинация модулей памяти является для материнских плат на базе чипсета i865PE оптимальной – для каждого конкретного случая.

Итак, рассмотрим классификацию модулей памяти применительно к данной ситуации:

  • Одноканальный вариант (single channel) – одиночный модуль памяти;
  • Двухканальный вариант (dual channel) – пара модулей, работающих в режиме двухканального доступа;
  • Односторонний модуль (single sided, SS) – модуль памяти, чипы на котором расположены только с одной стороны;
  • Двусторонний модуль (double sided, DS) – модуль памяти, чипы на котором расположены с обеих сторон;
  • Сочетающиеся модули (matched) – модули памяти одного типа (по объему и типу);
  • Разнородные модули (mixed) – модули памяти разных типов и объемов.

Разумеется, что в "дикой природе" встречаются различные комбинации этих характеристик. Например, существуют пары сочетающихся двухсторонних модулей, работающих в двухканальном режиме и так далее.

Какая из этих комбинаций более уместна в различных ситуациях – это и попытались выяснить наши коллеги. Мы не беремся пересказывать содержание этого обзора полностью, но основные выводы процитируем:

  • При синхронной работе памяти четыре модуля DIMM всегда обеспечивают более высокую производительность подсистемы памяти, чем два модуля DIMM. Поэтому традицию установки только двух модулей памяти для обеспечения двухканального доступа "привередам" следует пересмотреть – комбинация из четырех модулей может обеспечивать преимущество от 10% (двухсторонние модули) до 20% (односторонние модули).
  • Двусторонние модули памяти работают быстрее односторонних, однако четыре односторонних модуля работают почти также быстро, как и четыре двухсторонних – для режима DDR 400 (1:1).
  • Для частоты процессорной шины 533 МГц (либо делителях 5:4 или 3:2) существуют иные закономерности. Максимальную производительность демонстрирует комбинация из двух двухсторонних модулей или четырех односторонних модулей. Заметим, что подобная ситуация применима к разгону процессоров с 800 МГц шиной, когда для обеспечения стабильной работы памяти используются понижающие коэффициенты.
  • Смешивание модулей разного типа и номинала способно снизить производительность подсистемы памяти на 22-25%, причем использование двух сочетающихся между собой пар модулей ничуть не улучшает ситуацию. В идеале должны использоваться четыре одинаковых модуля, либо два одинаковых модуля.
  • В разгоне действует правило – чем меньше модулей памяти, тем выше можно поднять частоту шины процессора. При этом вариант с четырьмя модулями все же обеспечивает более высокую пропускную способность памяти, хотя и порог разгона по шине для него ниже.

Заметим, что приведенные правила установлены при использовании тестов Sandra 2003 Memory Bandwidth (Unbuffered) и MemTest86, поэтому полученные значения преимуществ в реальных приложениях могут быть не столь критичными, чтобы оправдать приобретение четырех модулей DIMM одинакового типа. Тем не менее, в приближенных к идеальным условиям закономерности сохраняют силу.

Итак, приведем "рейтинг" комбинаций для синхронного режима работы (DDR 400 или 1:1).

Для режима DDR266/DDR333 или понижающих делителей 3:2 и 5:4 "хит-парад" выглядит иначе:

С точки зрения сторонников асинхронного разгона предпочтительной является следующая комбинация: пара двухсторонних модулей одного типа. Комплекты оверклокерской памяти в этом случае вполне подойдут. Такой вариант обеспечит необходимый компромисс между пропускной способностью и оверклокерским потенциалом. Кстати, в следующем своем обзоре наши коллеги с указанного сайта обещают рассмотреть комбинации памяти типа DDR 466 и DDR 500, так что самое интересное нас ждет впереди...

Telegram-канал @overclockers_news - это удобный способ следить за новыми материалами на сайте. С картинками, расширенными описаниями и без рекламы.
Оценитe материал
рейтинг: 2.3 из 5
голосов: 3

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают