XDR DRAM: новое название Yellowstone

11 июля 2003, пятница 08:55
В начале этого месяца мы уже рассказывали немного о перспективах технологии памяти Yellowstone, продвигаемой компанией RAMBUS. Внушительные рабочие частоты от 3.2 ГГц до 6.4 ГГц и впечатляющая пропускная способность до 100 Гб/с привлекли к этому стандарту общественное внимание, но часть интереса пропала после того, как этот тип памяти был переориентирован исключительно на коммуникационное оборудование и игровые консоли.

Вчера в Сети появились новые интересные данные об этом стандарте. Сообщается, что данный тип памяти будет называться XDR DRAM. Первоначальный диапазон рабочих частот составит от 2.4 до 4 ГГц, для версии 3.2 ГГц эффективная пропускная способность составит 12.8 Гб/с.

Поддержку XDR DRAM должны обеспечить такие именитые производители, как Samsung, Elpida и Toshiba. Последняя планирует начать производство 64 Мб модулей XDR DRAM с рабочими частотами 2.4 ГГц и 3 ГГц в первом квартале 2005 года. Elpida начнет массовое производство XDR DRAM примерно в это же время, а опытное производство начнется в следующем году. В начале 2006 года память этого типа будет переведена на более совершенный 0.11 мкм техпроцесс.

Намерение Sony использовать XDR DRAM в игровых консолях собственного производства должно обеспечить указанных выше производителей памяти устойчивыми заказами. Насколько радушно будет встречен этот тип памяти производителями широкополосного коммуникационного оборудования – покажет время, но в настольном сегменте RAMBUS определенно не нашла признания. Лишь анонсированный вчера чипсет SiS R659 может продлить агонию RDRAM в этом сегменте, но перспективы данного решения достаточно размыты.

Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Сейчас обсуждают