Тестирование SSD 240-256 Гбайт: Samsung 840 EVO, SmartBuy Ignition 2, Silicon Power S50 и V55

Оглавление

• Вступление
• Участники тестирования
• Samsung 840 EVO 250 Гбайт (MZ-7TE250BW)
• Silicon Power S50 256 Гбайт (SP256GBSS3S50S25)
• Silicon Power V55 240 Гбайт (SP240GBSS3V55S25)
• SmartBuy Ignition 2 240 Гбайт (SB240GB-IGNT-25SAT3)
• Технические характеристики
• Тестовый стенд и ПО
• Тестирование производительности
• Futuremark PCMark 7
• AS SSD Benchmark
• CrystalDiskMark (64bit) 3.0.1
• Intel NAS Performance Toolkit 1.7.1
• Операции с различными типами файлов внутри накопителя
• Время доступа при операциях случайного чтения и записи
• Проверка скоростных характеристик на заполненном носителе
• Samsung 840 EVO 250 Гбайт (MZ-7TE250BW)
• Silicon Power S50 256 Гбайт (SP256GBSS3S50S25)
• Silicon Power V55 240 Гбайт (SP240GBSS3V55S25)
• SmartBuy Ignition 2 240 Гбайт (SB240GB-IGNT-25SAT3)
• Уровень энергопотребления накопителей
• Заключение

Вступление

Объектом нового тестирования станут четыре твердотельных накопителя объемом 240-256 Гбайт, предоставленные для тестирования нашим партнером – компанией Регард, и позиционируемые производителями как модели младшего уровня.

Думаю, Samsung 840 EVO не нуждается в особом представлении: он занимает промежуточное положение между флагманом 840 Pro и простым 840, хотя по количеству инноваций обошел первого. Silicon Power S50 угодил в самый низ модельного ряда производителя – чуть выше него расположился V55, а флагманами стали решения на контроллерах SandForce, хотя на самом деле внутри обоих SSD присутствуют контроллеры JMicron и Phison, отлично соревнующиеся в уровне производительности с продукцией SandForce. На низшей ступеньке позиционирования оказался и SmartBuy Ignition 2 – ниже него идут уже накопители формата mSATA, а на роль передовых решений выдвинуты Adrenaline и Explosion.

Участники тестирования

Представим наших новых участников:

• Samsung 840 EVO 250 Гбайт (MZ-7TE250BW). Примерная цена в московской рознице – около 6600 рублей;
• Silicon Power S50 256 Гбайт (SP256GBSS3S50S25). Примерная цена в московской рознице – около 5500 рублей;
• Silicon Power V55 240 Гбайт (SP240GBSS3V55S25). Примерная цена в московской рознице – около 5800 рублей;
• SmartBuy Ignition 2 240 Гбайт (SB240GB-IGNT-25SAT3). Примерная цена в московской рознице – около 5700 рублей.

Цены указаны на момент написания данного материала.

Samsung 840 EVO 250 Гбайт (MZ-7TE250BW)

Этот накопитель поставляется в той же строгой по дизайну и довольно компактной по размерам коробке, что и уже ставшие привычными модели Samsung 840 и 840 Pro.

Неизменен и комплект поставки: пара буклетов, компакт-диск с фирменным программным обеспечением Samsung Magician и пара наклеек на корпус системного блока.

А вот дизайн корпуса SSD стал иным. «Гласасфальт» – серое покрытие с вкраплениями блесток, довольно приятное на глаз решение.

Изменилось и оформление обратной стороны корпуса: лишь один крепежный винт находится в открытом доступе, остальные же теперь спрятаны под этикеткой. Таким образом Samsung решила вопрос опломбирования устройства для защиты его содержимого от шаловливых ручек и любопытных глаз пользователей.

Стоит отметить, что Samsung 840 EVO не зря вышел позже 840 Pro и обычного 840. Накопитель основан на памяти TLC NAND, однако в отличие от памяти в простом 840, здесь она выполнена по более современному 19 нм техпроцессу. Контроллер Samsung MDX сменился на Samsung MEX, который умеет работать с памятью, выполненной по техпроцессу 1х нм, частота ARM-ядер выросла с 300 до 400 МГц. Кроме того, модернизация контроллера потребовалась и потому, что память не просто поменяла техпроцесс: вместо 64-гигабитных кристаллов («обычный» 840) теперь используются кристаллы TLC NAND объемом 128 Гбит.

В силу архитектурных особенностей это позволило сократить себестоимость производства и привнесло еще ряд мелких особенностей, не лучшим образом сказывающихся на производительности в операциях записи из-за вдвое меньшего числа кристаллов, необходимого для достижения заданного объема. Впрочем, в случае TLC-памяти, которая и так не может похвастать хорошими показателями на операциях чтения, данный эффект на практике себя не проявляет.

Еще одним нововведением стала технология TurboWrite, суть которой все тот же режим «псевдо-SLC», реализованный в накопителях OCZ и Toshiba. Но отличия все же есть – Samsung решила «изобрести велосипед». Напомню суть. SLC отличается от TLC в первую очередь тем, что хранит данные по одному биту на ячейку, тогда как TLC – три. Поэтому для хранения одного и того же объема данных будет занят разный объем памяти.

Сам «велосипед» кроется в том, что работает сей режим не так, как в моделях OCZ и Toshiba: под его нужды используется не половина свободного места на диске, а фиксированный объем (резервируется от 9 Гбайт у SSD объемом 120 и 250 Гбайт до 36 Гбайт у SSD объемом 1 Тбайт). Соответственно, лишь в пределах от 3 до 12 Гбайт запись данных будет происходить быстро. Запись файла объемом 4 Гбайта приводит уже к проседанию скоростных характеристик.

Нужно обратить внимание еще на один факт: получают прирост и операции чтения блоками 4 Кбайт. Но тут есть своя тонкость, обусловленная особенностями самого бенчмарка: в тестах на чтение он оперирует теми данными, которые только что были записаны на накопитель. Здесь проявляет себя активное кэширование контроллером твердотельного диска, недаром каждый Samsung 840 EVO снабжается размером буфера из расчета один мегабайт буферной памяти на один гигабайт объема SSD. Таким образом, рассматриваемый 840 EVO снабжен микросхемой памяти LDDR2 объемом 256 Мбайт, а, к примеру, старшее решение на 1 Тбайт получило буфер на 1 Гбайт. Из-за этого скорость чтения мелких блоков у 840 EVO даже выше, чем у 840 Pro.

И еще один тонкий момент, связанный с работой данной технологии: по недавно появившейся неофициальной информации, записанные в таком режиме блоки данных не остаются на накопителе в первозданном виде – в моменты простоя микропрограмма «твердотельника» всегда производит «уплотнение», перезаписывая данные, записанные ранее в «псевдо-SLC-режиме», уже в режиме TLC. Таким образом, речи об экономии ресурса флеш-памяти особенно и не идет.

Кстати, о ресурсе. В интернете очень сильно распространена информация о том, что TLC NAND гарантированно выдерживает около одной тысячи циклов перезаписи. На самом деле это не совсем так. Если быть точным, то сама Samsung не гарантирует даже и одной тысячи циклов – в зависимости от типа нагрузки. Возьмем один из технических документов компании и приведем из него одну интересную таблицу, в данном случае применительно к Samsung PM843 – накопителям на 21 нм TLC NAND, которые фактически являются переименованными обычными Samsung 840, ориентированными на корпоративный сегмент:

Гарантия составляет три года или TBW (Total Bytes Written, в переводе на русский – «общий объем записанных данных»). Затем дается расшифровка понятия TBW в практических величинах. И оказывается, что TBW бывает разный: он может состоять как из крупных блоков данных (к примеру, видеофайлов), записываемых практически линейно, так и мелких, запись которых нелинейна. Для sequential write (линейной записи) заявляется от 207 до 830 Тбайт ресурса в зависимости от объема SSD, для random write (случайной мелкоблочной записи) ресурс в четыре раза меньший – от 52 до 210 Тбайт. Путем весьма несложных подсчетов определяем ресурс: от ~1600 циклов при линейных операциях до 450 циклов на случайной записи. Теперь вспомним, что типичные «домашние» сценарии эксплуатации тяготеют больше к последнему варианту, нежели к первому…

Кстати, на самом деле все не так страшно: тесты, которые проводили некоторые энтузиасты, показали, что реальный ресурс на линейных операциях записи у TLC NAND производства Samsung может достигать 3000 циклов перезаписи, соответственно и в случае самой сложной нагрузки ресурс явно не ограничится 450 циклами. Надо учитывать, что он «может достигнуть», однако гарантий, что он будет достигнут в конкретном случае, никто не даст.

Частично проблему ресурса флеш-памяти может нивелировать еще одно нововведение Samsung: технология Rapid Mode. Фактически это обычный RAM-диск, организуемый с помощью специального драйвера в оперативной памяти компьютера (при этом, разумеется, объем свободной оперативной памяти ПК уменьшается).

Подобное решение не является чем-то новым или уникальным (достаточно вспомнить драйвер RAM-диска, входивший в состав еще MS-DOS), но все-таки отличия есть: данный RAM-диск не виден и не доступен пользователю компьютера, им может пользоваться только драйвер Samsung для кэширования дисковых операций, выполняемых операционной системой с SSD. Еще одним отличием будет то, что данные, в отличие от обычного RAM-диска, хоть и сохраняются в памяти ПК, но, тем не менее, с небольшой задержкой (а вдруг система тут же попытается их изменить?) записываются и на сам накопитель.

Однако риск того, что произойдет утеря части только отправленных на запись в SSD данных, в случае пропадания электричества, все же есть. Поэтому такой режим больше оптимален в двух случаях: эксплуатации с множеством мелких блоков данных, которые постоянно изменяются, а также для любителей так называемых бенчмарков, где с активным Rapid Mode представители Samsung 840 EVO демонстрируют просто потрясающие показатели производительности. Собственно, это неудивительно, ибо в таком случае тесты отображают скорее быстродействие подсистемы оперативной памяти компьютера, нежели реальные показатели быстродействия самого накопителя.

Для включения технологии Rapid Mode необходимо выполнение следующих условий:

• Установка фирменного программного комплекса Samsung Magician (его возможности были недавно рассмотрены на примере Samsung 840 Pro);
• Наличие установленной операционной системы Windows 7 (х86, либо х86-64) или более новой;
• Не менее 2 Гбайт оперативной памяти.

Последнее условие выглядит довольно сомнительным, учитывая, что драйвер отбирает для своих нужд до 1 Гбайта памяти: оставшегося одного гигабайта будет явно мало для нормальной работы операционной системы Windows (особенно 64-битной), в итоге вырастет интенсивность использования файла подкачки и мы получим то, от чего пытались уйти – расход ресурса накопителя.

Кстати говоря, для моделей 840 Pro компания Samsung также включила поддержку Rapid Mode, для чего нужно установить Magician версии не ниже 4.3. Подобное «обновление» 840 Pro лишний раз подтверждает, что технически данное решение полностью программное, и его можно было бы включить и для простого Samsung 840, но кто будет мешать продажам своей продукции? Ведь наверняка найдутся желающие сменить 840 на 840 EVO. Ну а для флагмана Samsung 840 Pro включить Rapid Mode, как говорится, «сам Бог велел», иначе сложится странная ситуация, что младший накопитель в бенчмарках быстрее старшего. Другим моментом будет и то, что наличие Rapid Mode не ускоряет старт самой операционной системы, поскольку драйвер работает в ее среде и запускается вместе с ней.

Если суммировать все вышесказанное, вывод будет прост: накопители Samsung 840 EVO не рассчитаны на длительные нагрузки и работу с большими объемами данных. Удел этой линейки – скорее офисная работа при условии не самых жестоких нагрузок. А Rapid Mode в нашей реальности скорее приятный бонус для поклонников посоревноваться результатами, полученными в различных тестовых приложениях, нежели прикладной инструмент.

Silicon Power S50 256 Гбайт (SP256GBSS3S50S25)

Модель Silicon Power поставляется в стандартной для компании коробке. Комплектация также типична:

Блистер из черного пластика, крепежные винты и инструкция. На самом твердотельном накопителе лишь гравировка на крышке указывает на принадлежность Silicon Power.

Никаких серийных номеров и прочих мелочей.

Серия S50 позиционируется как самая младшая в линейке бренда, но на самом деле это далеко не так. Разумеется, реальный изготовитель SSD – отнюдь не Silicon Power.

Больше полугода назад на примере модели объемом 64 Гбайта в рамках лаборатории состоялось знакомство с линейкой S50. В ее основе лежит редкое на рынке розничных твердотельных дисков инженерное решение JMicron. Достаточно сказать, что помимо рассматриваемого S50, данный контроллер можно встретить в Transcend SSD740, Galaxy Thunder GT 128 Pro, а также в EZLINK Panzer-IV (где он перемаркирован в EZLINK EZ3555).

Накопитель является референс-дизайном на базе контроллера JMF667H. Плата рассчитана на установку шестнадцати микросхем флеш-памяти, но используется только восемь посадочных мест. Но полгода не прошли даром, и теперь вместо 25 нм синхронной памяти IMFT применена более современная память Toshiba TH58TEG8DCJTA20, работающая в режиме Toggle Mode 2.0 (она же и дешевле).

К сожалению, JMF667H является лишь четырехканальным контроллером, но поддерживает чередование и может оперировать числом кристаллов NAND до восьми на каждом из каналов. Именно схема «4 х 8» и нашла применение в этом накопителе: каждая из восьми установленных микросхем памяти Toshiba содержит по четыре 64-гигабитных кристалла NAND.

Необходимо отметить, что контроллер JMF667H не поддерживает компрессию данных, в отличие от контроллеров SandForce, занявших место в старших семействах накопителей Silicon Power – S60 и S70. Но его конек – операции с мелкими блоками 4 Кбайт, в которых он способен дать фору считающимися лидерами рынка контроллерам Samsung MDX (Samsung 840 Pro) и Marvell 88SS9187 (Plextor M5 Pro). Не говоря уже про платформу SandForce (SF-2241/SF-2281). Так что позиционирование S50 на самом деле несколько спорное.

реклама