SP/Silicon Power, мировой лидер в производстве решений памяти, представляет последние разработки в области оперативной памяти - DDR3L-1333 и DDR3L-1600 серии ультра-низковольтных модулей. Рабочее напряжение для этих модулей составляет 1.35 вольта, что позволяет эффективно снизить потребление энергии, не жертвуя производительностью. Кроме экономии энергии при долгой работе, ультра низковольтные DRAM модули Silicon Power существенно сокращают бесполезное выделение тепла, что помогает продвинутым геймерам, профессионалам фото и видеосъемки и увлеченным сборщикам создавать дружественные для окружающей среды рабочие станции.

Серия ультра-низковольтных модулей Silicon Power DDR3L предлагает выбор от UDIMM до SO-DIMM при частотах 1333MHz и 1600MHz, обеспечивая пользователей ПК и ноутбуков экономией энергии до 20% из-за низкого энергопотребления данными модулями. Более того, серия DDR3L от Silicon Power полностью совместима с новейшими платформами Intel® Haswell, идеально подходящими для тех пользователей, которые предпочитают экологичную и энергосберегающую альтернативу, наслаждаясь при этом максимальной производительностью их системы.

Серия ультра-низковольтных модулей Silicon Power DDR3L включает продукты, произведенные из тщательно отобранных оригинальных чипов, протестированных на 100%, чтобы гарантировать высочайшие стандарты стабильности, долговечности и совместимости. Все модули оперативной памяти Silicon Power обеспечиваются ограниченной пожизненной гарантией. Дополнительную информацию вы можете получить на официальном сайте Silicon Power – www.silicon-power.com.

Отличительные особенности:

• Высокая производительность, экономия энергии, снижение теплоотдачи
• Только оригинальные чипы
• 100% протестировано для стабильности, долговечности и совместимости
• Идеально подходят для виртуальных и облачных систем
• Экономия энергии до 20%
• Ограниченная пожизненная гарантия

Спецификация:

• Тип: DDR3 низковольтная память
• Количество контактов: 240 для UDIMM и 204 для SO-DIMM
• Частота: DDR3-1333MHz или 1600MHz
• Емкость: 2ГБ / 4ГБ / 8ГБ
• Организация чипов: 256Mx8 / 512Mx8
• Рабочее напряжение: 1.35 В
• CAS Latency: 9 (1333MHz) / 11 (1600MHz)