Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware GreenCo
Наглядное пособие.

реклама

Аналитическая контора IC Insights представила наглядную компиляцию на тему графиков освоения новых техпроцессов основными производителями компьютерной DRAM и NAND-флэш памяти. Вся эта информация уже была в том или ином виде, но сейчас она собрана на одном графике с общей временной шкалой, что даёт возможность оценить успехи отдельных компаний. Также ценность информации IC Insights в том, что компания Samsung с определённого момента начала скрывать данные о вводимых ею нормах техпроцесса для производства памяти, ссылаясь на туманное определение "класс".

реклама

Итак, к настоящему моменту все компании смогли осилить выпуск NAND-флэш микросхем с нормами менее 20 нм и выпуск DRAM-памяти с нормами менее 30 нм. Аналогичная ситуация, но уже на новом уровне, ожидается через 2,5-3 года, когда "в среднем" нормы техпроцесс для выпуска NAND-памяти снизятся до 12-10 нм, а техпроцессы по производству DRAM опустятся ниже 20 нм. Следует отметить, что 12-10 нм не нужно принимать буквально. Конкретные цифры будущих техпроцессов сегодня никто не назовёт. Всё будет определять ситуация на рынке и игры конкурентов.

В текущем году в производстве NAND-флэш массовым стал выпуск 15-нм и 16-нм микросхем. Компания Samsung, как видим, немного притормозила с переходом на более тонкие нормы 2D-чипов, но зато самой первой она смогла наладить массовый выпуск многослойных 3D-микросхем. В мае этого года Samsung приступила к массовому производству 32-слойной памяти 3D V-NAND. Выпуск 24-слойных микросхем, который стартовал ровно год назад — в августе 2013 года, был довольно ограничен. Следом за Samsung по графику освоения 3D NAND идут компании SK Hynix, Micron и Toshiba.

С микросхемами для оперативной памяти особенных сюрпризов нет. Эта память также готовится стать "вертикальной". Однако плотность компоновки здесь будет другая. В столбик собираются не слои, а кристаллы, но достаточно плотной группой с использованием сквозных соединений. Это так называемая память Hybrid Memory Cube, которую начала выпускать компания Micron, а в общем случае — это память High Bandwidth Memory (HBM DRAM), опытный выпуск которой начала компания SK Hynix. На графике, к сожалению, этот момент не отражён.

Написать комментарий (0)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают