О попытках начать внедрение полупроводниковой литографии с помощью излучения в крайнем ультрафиолетовом диапазоне мы слышим порядка 10 лет. На нынешнем этапе решения этой проблемы считается, что промышленное EUV-оборудование с 13-нм излучением начнёт появляться после 2017 года. Но проблема не только в отсутствии сканеров. Есть проблемы с изготовлением устойчивых к разрушающему воздействию EUV-излучения фотомасок, как и нет фоторезиста с совокупностью требуемых качеств.

Качества эти просты: высокая чувствительность, чёткость контуров после травления и механическая стабильность. Проблема усугубляется тем, что будущий чип не может выдержать длительную засветку EUV-лучами. Поэтому проекционная вспышка длится порядка фемтосекунды (миллиардная доля микросекунды). Плотность потока фотонов очень мала. Если увеличить чувствительность фоторезиста, пострадает та его компонента, которая отвечает за механическую стабильность (связку состава). Необходима новая формула, которая позволит создать суперфоторезист.

Сообщается, что над суперфоторезистом совместно работают компания Intel и одна из групп знаменитой лаборатории имени Лоуренса в Беркли (U.S. Department of Energy’s Lawrence Berkeley National Lab). Комбинируя составы фоторезиста с разными качествами, партнёры приближаются к формуле, которая откроет путь к фотолитографии с нормами 10 нм и ниже.