Двенадцать лет назад автор этих строк только начинал работать в жанре "hardware"-новостей и одна из его первых заметок на одном уважаемом ресурсе была посвящена совместной разработке компаниями SanDisk и Toshiba очередной по ёмкости микросхемы флэш-памяти NAND-типа. Это было в ноябре 2001 года, а сотрудничество между этими двумя компаниями началось почти двумя годами ранее — в январе 2000. С тех пор партнёры проделали огромный путь, вместе и порознь совершенствуя флэш-память.

Добавим, компания Toshiba считается оригинальным разработчиком NAND-флэш, которую она изобрела в 1989 году, тогда как компания SanDisk тщательно коллекционировала патенты на флэш-технологии. Так, технологию создания двухбитовых ячеек MLC компания SanDisk получила от совместной работы с Intel, а технологию производства трёхбитовых ячеек TLC (x3) купила в 2008 году вместе с израильской компанией M-Systems. Трудясь с Toshiba, компания SanDisk не забывает делиться разработками с партнёром. Получается очень даже ничего.

Так, двумя свежими раздельными анонсами компании Tosiba и SanDisk объявили о разработке второго поколения 19-нм техпроцесса для производства NAND MLC. Это будут самые плотные, по словам разработчиков, 64-Гбит микросхемы флэш-памяти. Массовое производство новинок обещает начаться до конца мая.

Размер ячейки снижен на 25%: с 19 х 26 нм до 19 х 19,5 нм. Утверждается, что снижение площади ячеек не приведёт к ухудшению износостойкости и производительности. Для флэш-памяти снижение масштаба техпроцесса ведёт к снижению циклов стирания, хотя экономика требует снижать себестоимость микросхем за счёт наращивания числа кристаллов на пластине. Если верить разработчикам, надёжность и скорость не пострадают. Производительность новой флэш-памяти обещает оказаться лучшей в индустрии — на уровне 25 Мбайт/с.

Отдельно компании сообщают о планах начать выпуск трёхбитовой флэш-памяти до конца третьего квартала. Поначалу NAND TLC планируется использовать в смартфонах и планшетах, как менее надёжную, но впоследствии с использованием памяти на трёхбитовых ячейках партнёры намерены начать выпуск SSD.

В заключение напомним, что в апреле компания Samsung начала выпуск 128-Гбит NAND MLC с использованием техпроцесса класса 10-нм, так что заявка о производстве самой плотной в мире флэш-памяти силами Toshiba и SanDisk может оказаться несколько неточной.