Компания Micron освоила производство модулей памяти типа LRDIMM почти год назад, но они комплектовались 50 нм микросхемами и имели объём не более 16 Гб. Если обратиться к истории вопроса, то тип памяти LRDIMM (load-reduced dual-inline memory module) разрабатывался специально для серверов, где за счёт использования интегрированного буфера позволял снизить нагрузку на шину памяти, а заодно существенно повысить частоту и максимальный объём в расчёте на один процессор.

Компания Samsung вчера объявила, что во второй половине этого года начнёт массовое производство модулей памяти типа LRDIMM объёмом 32 Гб, основанных на микросхемах типа DDR3-1333, выпущенных по литографической технологии 40 нм класса. Каждый модуль содержит 72 микросхемы памяти типа DDR3 и буфер, позволяющий снизить нагрузку на шину памяти на 75%.

Устанавливая в систему подобные модули памяти, можно увеличить объём оперативной памяти до 384 Гб в расчёте на один процессор - это в полтора раза больше, чем при использовании обычных модулей памяти типа RDIMM объёмом 32 Гб. Модули памяти, представленные Samsung, имеют номинальное напряжение 1.35 В или 1.5 В. Для производителей серверных решений новые модули памяти открывают хорошие возможности.