реклама
Впервые представив 40 нм микросхемы DDR-3 в июле прошлого года, компания Samsung за семь месяцев смогла увеличить плотность записи до 4 Гбит. Новое поколение памяти имеет номинальное напряжение 1.35 В или 1.5 В, объём одной планки может достигать 16 или 32 Гб в случае использования регистровой организации, и 8 Гб в случае использования модулей SoDIMM для ноутбуков.
реклама
В ближайшее время Samsung планирует перевести более 90% своей памяти типа DRAM на 40 нм технологию производства. Применение модулей памяти нового поколения в серверных системах позволяет снизить общий уровень энергопотребления на величину до 10%.
Сейчас обсуждают