реклама
Во-первых, компания объявила, что в конце ноября приступила к массовому производству первых в мире трёхбитных микросхем типа MLC, выпускаемых по 30 нм технологии. Объём хранимой информации при переходе от двухбитных микросхем к трёхбитным возрастает на 50%. Однако, пока новые микросхемы памяти с трёхбитной организацией будут применяться только в картах памяти типа MicroSD объёмом 8 Гб, а затем перейдут на USB-накопители.
Во-вторых, компания Samsung доложила о начале массового производства 30 нм микросхем памяти типа MLC плотностью 32 Гбит с интерфейсом DDR. Применение этого интерфейса вместо SDR позволяет поднять скорости записи с 40 до 133 Мбит/с. Уровень энергопотребления при этом не повышается. Память этого типа может применяться в SSD, картах памяти, мобильных устройствах и автомобильных навигационных системах.
реклама
В картах памяти микросхемы MLC с интерфейсом DDR демонстрируют увеличение скорости записи с 17 до 60 Мбит/с по сравнению с аналогами, оснащёнными интерфейсом SDR. Оба начинания Samsung позволят увеличить долю устройств, оснащённых памятью объёмом свыше 32 Гб.
Сейчас обсуждают