реклама
Компания Elpida сегодня заявила о готовности начать массовое производство микросхем памяти типа DDR-3 по 50 нм технологии в январе-марте 2009 года. Новый 50 нм техпроцесс с использованием иммерсионной литографии и оборудования с длиной волны 193 нм позволяет микросхемы памяти площадью менее 40 кв.мм. Кроме стандартного напряжения 1.5 В, новые микросхемы памяти типа DDR-3 в исполнении Elpida способны работать при напряжениях 1.35 В и 1.2 В. Максимальное снижение энергопотребления достигает 50% по сравнению с микросхемами памяти, выпускаемыми по 70 нм технологии.
Примечательно, что диапазон рабочих частот 50 нм памяти Elpida лежит в широком диапазоне: от режима DDR3-800 до режима DDR3-2500. Благодаря высоким частотам и низким номинальным напряжениям, память Elpida нового поколения может найти применение не только в составе платформы LGA 1366, но и в серверном сегменте, а также мобильных устройствах. Elpida активно ведёт подготовку к переходу на 50 нм техпроцесс в производстве изделий для сегмента потребительской электроники.
Сейчас обсуждают