К счастью для этого утра, конференция Hot Chips 28 начала свою работу её в воскресенье, а потому коллеги с сайта ComputerBase.de уже поделились свежими откровениями представителей SK Hynix и Samsung с этого мероприятия. В данном материале речь пойдёт о перспективах развития памяти типа HBM, которую производители графических решений пока с некоторыми трудностями применяют на своих флагманских продуктах. AMD разрабатывала HBM первого поколения в сотрудничестве с SK Hynix, но Samsung тоже готова поставлять память данного типа.

Более того, производитель памяти предлагает удешевить HBM за счёт уменьшения количества межслойных соединений в микросхемах. Пропускная способность при этом упадёт не так заметно, на 20%, а вот стоимость памяти можно будет снизить в несколько раз. Шина при этом станет уже, буфер будет упразднён, как и поддержка ECC, а кремниевый мост предлагается делать с использованием "органических материалов".

Samsung и SK Hynix уже задумываются о разработке памяти HBM третьего поколения. Она носит рабочие названия "xHBM", "Extreme HBM", "HBMx" или "HBM3". Она должна увеличить пропускную способность в два раза по сравнению с предшественницей, но при этом стать дешевле в производстве. "Этажерка" из четырёх микросхем HBM3 позволит передавать информацию со скоростью 2 ТБ/с. Даже если такая память сразу не найдёт применения в графических картах, её с удовольствием возьмут на вооружение ускорители вычислений для серверного сегмента.