Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
Терабайт данных в крохотном корпусе BGA.

реклама

Корейская компания Samsung старается регулярно подтверждать статус одного из лидеров мировой полупроводниковой промышленности. Во всяком случае, в сфере совершенствования твердотельной памяти Samsung способен поспорить с конкурентами, ещё вчера заявлявшими о форе в два-три года.

На профильном отраслевом мероприятии Samsung заявил, что в четвёртом квартале этого года начнёт поставки 64-слойных микросхем памяти типа V-NAND, которые позволят хранить до 1 ТБ информации в крохотном корпусе типа BGA массой не более 1 г. Для корпоративных клиентов в следующем году будет выпущен твердотельный накопитель объёмом 32 ТБ в исполнении 2.5" с интерфейсом SAS, сочетающий 32 таких микросхемы. Одночиповые накопители объёмом 1 ТБ также найдут применение в мобильных устройствах. Скорость чтения на последовательных операциях достигнет 1500 МБ/с, записи – 900 МБ/с. В следующем году терабайтные накопители в исполнении BGA также перейдут на использование упаковки FO-PLP. К 2020 году, по прогнозам Samsung, можно будет создать твердотельные накопители объёмом 100 ТБ.

реклама

В следующем году Samsung также обещает выпустить твердотельные накопители серии Z, которые по скорости чтения последовательных данных в 1,6 раза превзойдут существующий Samsung PM963 с интерфейсом NVMe, а задержки будут сокращены в четыре раза. Нельзя исключать, что такие накопители достанутся и энтузиастам в настольном сегменте.

Показать комментарии (13)

Популярные статьи

Сейчас обсуждают