Микросхемам памяти переход на более совершенные технологические процессы нужен для того же, для чего и центральным процессорам: снижения себестоимости производства и энергопотребления, повышения плотности и быстродействия. Сегодня южнокорейский гигант Samsung сообщил, что освоил серийное производство 8-гигабитных микросхем памяти типа DDR4 с использованием техпроцесса "10-нм класса". Эта хитрая формулировка подразумевает, что Samsung может использовать как 10-нм техпроцесс, так и 19-нм техпроцесс – номинально, они относятся к одному "разряду". По некоторым неофициальным данным, использовался 18-нм техпроцесс.

Samsung признаёт, что прогресс потребовал от компании преодоления некоторых технических барьеров. Например, в условиях отсутствия оборудования для литографии со сверхжёстким ультрафиолетовым излучением (EUV), пришлось совершенствовать имеющиеся методы. Погружная литография с применением аргонового лазера, четырёхкратное использование шаблонов и напыление сверхтонкого слоя диэлектрика – вот какие новшества Samsung удалось применить при выпуске микросхем DDR4 по технологии "10-нм класса".

В итоге, как поясняет Samsung, выпускаемая по технологии "10-нм класса" память не только увеличила скорость с DDR4-2400 до DDR4-3200, но и снизила уровень энергопотребления на 10-20% по сравнению с аналогичными микросхемами "20-нм поколения". При этом, с одной кремниевой пластины выходит на 30% больше микросхем идентичной ёмкости. Первые модули памяти на базе микросхем DDR4 "10-нм класса" будут использоваться в серверных и настольных системах, но до конца этого года Samsung представит решения и для мобильных устройств (смартфонов, и не только собственной марки). В ноутбуках будут применяться модули памяти объёмом от 4 ГБ, а в серверах – объёмом до 128 ГБ.