реклама
На проходящей в Японии выставке CEATEC компания TDK продемонстрировала прототип микросхем магниторезистивной памяти произвольного доступа с переносом спинового момента – STT-MRAM. По уровню быстродействия такая память сопоставима с SRAM и DRAM, но при этом STT-MRAM отличается энергонезависимостью и может хранить записанные данные в течение длительного срока.
Различные варианты магниторезистивной памяти разрабатываются уже давно. TDK делает упор на технологию переноса спинового момента – при записи данных под действием электрического тока, поляризованного по спину, происходит изменение ориентации магнитного поля. На выставке были показаны 200-миллиметровые пластины с кристаллами STT-MRAM, плотность которых составляет 8 Мбит, а также корпусированная микросхема.
реклама
К сожалению, TDK сможет приступить к массовому производству памяти STT-MRAM не скоро – по разным оценкам, на созревание технологии уйдёт от пяти до десяти лет.
Кстати говоря, TDK не единственная компания, разрабатывающая технологию STT-MRAM. Главным её конкурентом в этой области является Everspin Technologies, которая уже ведёт поставки соответствующих микросхем в ограниченных объёмах. Память Everspin находит применение, в частности, в качестве кэш-памяти в твердотельных накопителях Buffalo Memory.
