В феврале в Сан-Франциско пройдёт очередная ежегодная конференция International Solid-State Circuits Conference (ISSCC). Компании, которые планируют выступить на мероприятии, приступили к регистрации докладов. Краткие аннотации к будущим выступлениям дают возможность понять, чем разработчики нас порадуют в следующем году. Начнём с памяти.

Обе южнокорейские компании — Samsung и SK Hynix — расскажут о будущей производительной и энергоэффективной DRAM. Компания Samsung отметится докладом о памяти типа LPDDR4, которая ориентирована на использование преимущественно в смартфонах и планшетах. Правда, это не помешало компании Intel встроить поддержку LPDDR3 в контроллер памяти процессоров Haswell и нечто подобное, наверняка, произойдёт также после появления на рынке памяти LPDDR4. В версии Samsung память LPDDR4 на старте будет представлять собой 25-нм 8-Гбит решение с питанием 1 В и скоростью 3,2 Гбит/с на контакт. Для сравнения, память LPDDR3 в этом году начала осваивать скорости чуть выше 2 Гбит/с на контакт. Со слов источника, в изделиях микросхемы LPDDR4 начнут появляться в течение следующего года. На наш взгляд, этого можно ждать едва ли раньше ноября-декабря. Также Samsung будет хвастаться самой мелкой ячейкой SRAM-памяти, которая выпущена с использованием опытного 14-нм техпроцесса с использованием FinFET-транзисторов и площадь которой равна 0,064 кв. мм.

Компания SK Hynix, напротив, покажет память наивысшей производительности. Это будет так называемая память HBM — High-Bandwidth Memory. Частным случаем такой памяти является память Hybrid Memory Cube компании Micron. На память HBM делают ставку все разработчики. Та же компания NVIDIA, например, собирается устанавливать HBM на видеокарты поколения Volta. Есть подобные планы и у компании AMD. Возвращаясь к разработке компании SK Hynix, отметим, что она покажет 29-нм 8-Гбит микросхему, состоящую из четырёх кристаллов соединённых методом сквозных TSVs-соединений. Питание HBM SK Hynix равно 1.2 В, а пропускная способность на уровне 128 Гбайт/с. Компания Micron, кстати, тоже расскажет о Hybrid Memory Cube. Первые микросхемы HMC компании имеют объём 4 Гбайт и пропускную способность 160 Гбайт/с. Наконец, встроенную DRAM, выпущенную с использованием 22-нм техпроцесса, покажет компания Intel. Площадь ячейки этой памяти составит 0,029 кв. мм., тактовая частота — 2 ГГц, питание — 1.05 В. И это тоже будет интересно. В конечном итоге оперативная память тоже будет перемещена в состав процессоров.

Теперь по процессорам. Компания Intel обнародует информацию по новому классу особенно энергоэффективных процессоров Xeon. Это будут 22-нм решения под кодовым именем Ivytown. В основе Ivytown, как нетрудно догадаться, будет лежать микроархитектура поколения Ivy Bridge, но акценты будут сделаны на ещё большее снижение потребления. По представлению Intel, это будут процессоры для массовых серверов, ориентированных на облачные сервисы. Процессоры Ivytown будут нести до 15 вычислительных ядер и 37,5 Мбайт разделяемой кэш-памяти L3. Они будут насчитывать 4,31 млрд. транзисторов, получат многорежимный контроллер памяти и по одной PLL на каждую тактовую линию, что предполагает предельно глубокий контроль за всеми узлами процессора.

На ту же самую нишу, но уже снизу, нацелены 64-разрядные ARM-процессоры компании Applied Micro. Разработчик расскажет о процессорах X-Gene, интегрирующих четыре двухъядерных блока, работающих на частоте 3 ГГц и потребляющих 4,5 Вт на блок. Процессор выпущен с использованием 40-нм техпроцесса TSMC. Его питание равно 0.9 В. Это суперскалярная архитектура и внеочередное исполнение команд. Нетрудно заметить, что ARM-архитектуры идут по тому же самому пути, который прошли x86-совместимые процессоры. Это повышает их производительность, но это же убивает то, за что мы до сих пор любили ARM — малое потребление.

Из других докладов, которые также привлекут наше внимание, отметим запланированные выступления компаний IBM и AMD. Первая расскажет о новом процессоре на архитектуре Power8, вторая о 28-нм микроархитектуре Steamroller.