Хотя технология производства трёхмерных транзисторов Intel Tri-Gate (FinFET) в первом поколении проявила себя не так эффективно, как того хотелось бы разработчикам, ближайшее будущее именно за FinFET-транзисторами. Превратив канал транзистора в гребень, и окружив его с трёх сторон затвором, удалось значительно снизить управляющее напряжение, уменьшить токи утечки и поднять рабочие токи. Преимущества такого подхода понимают все производители полупроводников, поэтому этим летом началась своеобразная гонка за FinFET.

Первой вслед за Intel бросилась компания TSMC. Адаптируя архитектуру ARM к своим техпроцессам, крупнейший в мире контрактный производитель полупроводников пообещал начать выпуск решений с использованием трёхмерных транзисторов в рамках 16-нм техпроцесса во второй половине 2015 года. Буквально вслед за TSMC о планах внедрения FinFET заявила компания UMC — номер два (скорее всего, уже номер три) на рынке контрактного производства микросхем. С помощью разработок компании IBM компания UMC собирается начать производство FinFET во второй половине 2014 года на основе 20-нм техпроцесса. Наконец, вчера вышла из засады компания GlobalFoundries. Согласно официальному пресс-релизу компании, выпуск трёхмерных транзисторов GlobalFoundries начнёт (внимание!) в 2014 году в рамках 14-нм техпроцесса.

Заявленные сроки и возможности означают, что GlobalFoundries, которая сегодня более чем на год отстаёт от технологичности техпроцессов компании Intel, через два года пойдёт, что называется, ноздря в ноздрю с Intel. Во всяком случае, об этом недвусмысленно говорят планы компании. Американский производитель с арабским капиталом собирается обычно двухлетнюю работу провести за один год.

На картинке всё выглядит замечательно. Хотелось бы только задать вопрос: а где, господа, ваша 28-нм продукция, которая на планах находится в производстве с прошлого года? В этом году GlobalFoundries выпустила достаточно много 28-нм решений, но это, в основном, такая продукция на архитектуре ARM, как сотовые модемы или контроллеры. Если говорить о SoC (даже не о компьютерных архитектурах), то в 2011 году это были лишь опытные образцы. На самом деле, даже сейчас, на наш взгляд, было бы преждевременно говорить о массовом производстве 28-нм решений GlobalFoundries, основанных не на LP-производстве, а на HKMG-процессе (с применением металлических затворов). Но компания видит ситуацию вот так.

Если всё пойдёт как по маслу, в 2014 году компания GlobalFoundries предложит разработчикам SoC на ARM техпроцесс 14nm-XM, где "XM" расшифровывается, как экстремально мобильная. Ожидается, что по сравнению с планарным 20-нм техпроцессом техпроцесс 14nm-XM улучшит такой показатель, как продолжительность работы батарей на 40-60 %. Интересно отметить, что технология 14nm-XM будет сочетать 14-нм FinFET-транзисторы с 20-нм планарными элементами. Разработчики называют это "модульной структурой". Предполагается, что такой подход позволит быстрее всего адаптировать инструменты разработки 20-нм полупроводников к 14-нм FinFET-техпроцессу. На практике это будет означать, что дизайн 14nm-XM-решений можно будет разрабатывать уже в следующем году, чтобы уже в 2014 получить реальный 14-нм кремний.

Для тех, кто помнит, что компания GlobalFoundries — это некогда заводы компании AMD, уточним, что речь идёт о выпуске передовых SoC-сборок на архитектуре ARM. Как и когда всё это будет адаптировано для процессорных или графических архитектур AMD, остаётся только догадываться.