Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Mindango
Новые решения быстрее и долговечнее стандартной флэш-памяти.

реклама

Компании IBM и SK Hynix объявили о начале совместной работы над энергонезависимой памятью, использующей технологию фазового перехода, с произвольным доступом (PCRAM). Как пишет сайт DigiTimes, сочетание инженерного опыта IBM и производственных мощностей SK Hynix позволят ускорить разработку и коммерциализацию продуктов на основе технологии PCRAM.

Около года назад инженерам IBM удалось получить образцы памяти PCM (англ. phase-change memory), способные хранить в одной ячейке несколько бит информации в течение длительного времени. SK Hynix также ведёт работы в этом направлении: пять лет назад производитель получил лицензии на использование технологий компании Ovonyx, на основе которых была создана микросхема плотностью 1 Гбит (техпроцесс 40 нм класса).

реклама

Память PCRAM приблизительно в 100 раз превосходит флэш-память NAND по быстродействию в операциях чтения, при этом характеризуясь меньшим энергопотреблением и в 1000 раз большим сроком службы.

Показать комментарии (30)

Сейчас обсуждают