Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
Высокая частота сочетается с низким напряжением.

реклама

Мы уже привыкли, что с повышением тактовой частоты памяти растут и номинальные напряжения: оба параметра нередко превышают рекомендованные разработчиками контроллеров памяти режимы работы. Современные процессоры AMD и Intel имеют встроенный контроллер памяти, который достаточно чувствителен к повышению напряжения. По этой причине производители оверклокерских комплектов памяти стараются удержать номинальное напряжение в рамках рекомендаций производителей процессоров, но при этом максимально поднимают тактовую частоту памяти.

Компания Team Group на выставке CeBIT 2010 обещает продемонстрировать комплекты памяти типа DDR3-2400, работающие при номинальном напряжении 1.6 В. Мало того, что это напряжение на 0.05 В ниже рекомендованного компанией Intel для процессоров в исполнении LGA 1366 и LGA 1156, так ещё и частота памяти равна 2400 МГц DDR. Модули памяти серии Xtreem LV DDR3 2400 работают при значениях таймингов 9-10-10-30, объём двухканального комплекта равен 2 х 2 Гб. Очевидно, новинка ориентирована на использование в системах с процессорным разъёмом LGA 1156.

Модули памяти серии Xtreem LV выполнены на печатных платах с восьмислойным дизайном, они оснащаются алюминиевыми радиаторами с канавкой для установки дополнительных вентиляторов, производитель даёт на них пожизненную гарантию. Попутно Team Group пообещала продемонстрировать на CeBIT 2010 свои твёрдотельные накопители серии Xtreem-S1 с контроллером SandForce, способные обеспечить скорость передачи информации до 270 Мбайт/с на операциях чтения, и до 260 Мбайт/с на операциях записи. Накопители будут представлены в моделях объёмом 60, 120 и 250 Гб. Поддержка TRIM предусмотрена изначально, а защитить информацию можно при помощи 128-разрядного шифрования по алгоритму AES.

Сейчас обсуждают