реклама
Официальные комментарии к этой информации появились на сайте Globalfoundries только вчера. Сегодня на отраслевом мероприятии в США представители компании должны рассказать о своих успехах в освоении новых технологических норм. Как обычно, Globalfoundries обозначает сроки внедрения очередной ступени техпроцесса довольно размыто - с точностью до полугода.
Серийное производство продукции по 32 нм техпроцессу в версии для устройств с высоким быстродействием стартует во второй половине 2010 года на Fab 1 - дрезденском предприятии Globalfoundries. Эта версия техпроцесса будет сочетать "кремний на изоляторе" (SOI), материалы с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторы с металлическим затвором. К концу этого года уровень выхода годных чипов по этой технологии достигнет 50%. При одинаковом уровне токов утечки, 32 нм изделия обеспечивают на 50% более высокую скорость переключения транзисторов по сравнению с 45 нм изделиями, выпускаемыми на Fab 1.
реклама
Заказы на 28 нм чипы с монолитной подложкой будут приниматься компанией с первого квартала 2010 года. Серийное производство начнётся во второй половине 2010 года. Второе поколение 28 нм техпроцесса возьмёт на вооружение материалы с высоким значением диэлектрической константы (high-k) и транзисторы с металлическим затвором. Будет предусмотрено две версии 28 нм техпроцесса: для устройств с высоким быстродействием и устройств с низким энергопотреблением. О сроках внедрения этих версий 28 нм технологии Globalfoundries ничего не сообщает.
Сейчас обсуждают