реклама
Экономия за счёт снижения энергопотребления достигает 30%, если сравнивать новую память с предшественницей, выпущенной по 50 нм технологии. Кроме того, более "тонкий" техпроцесс позволяет получать до 60% больше микросхем с одной кремниевой пластины. Samsung собирается приступить к производству микросхем DDR-3 с использованием 40 нм технологии к концу 2009 года.
реклама
По оценкам Samsung, этот техпроцесс позволит компании приступить к разработке высокопроизводительной памяти следующего поколения, например, DDR-4. Продолжительность цикла технологической подготовки производства с переходом на 40 нм техпроцесс уменьшится в два раза.
Сейчас обсуждают