Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв
Это ещё цветочки, ягодки будут в 2009 году.

реклама

Компания IBM, которая, как известно, является "технологическим донором" для AMD, вчера отчиталась о первых успехах в освоении 32 нм технологического процесса. Точнее говоря, успехи были достигнуты группой партнёров, в числе которых упоминаются сама IBM, а также Infineon, ST Microelectronics, Chartered Semiconductor, Freescale, Samsung и Toshiba. Достигнутые консорциумом наработки будут впервые использованы в экономичных 32 нм микросхемах типа чипов для мобильных телефонов, но позднее могут быть применены и при производстве 32 нм процессоров для персональных компьютеров.

Компания Intel уже начала использовать материалы с высоким значением диэлектрической константы (high-k) в рамках 45 нм техпроцесса, IBM и партнёры готовы взять на вооружение это ноу-хау при производстве 32 нм продукции. Как и в случае с процессорами Intel, в микросхемах нового поколения IBM будет использовать транзисторы с металлическим затвором.

реклама

Сочетание этих двух новшеств позволяет либо повысить уровень производительности на 35% по сравнению с 45 нм продуктами, либо снизить уровень энергопотребления на 30-50% в зависимости от рабочего напряжения. Речь в данном случае идёт о скорости переключения транзисторов, и частотный потенциал реальных микросхем может и не освоить весь 35-процентный прирост. Кроме того, реальным 32 нм продуктам придётся выбирать компромиссное сочетание между частотным потенциалом и уровнем энергопотребления.

Скорее всего, эти технологии удастся перенести и на 22 нм техпроцесс. Ячейки памяти, выпущенные по 22 нм технологии, могут появиться уже в начале 2009 года. Выпуск продукции по 32 нм технологии IBM и её партнёры могут начать во второй половине 2009 года, первые пробные партии можно будет заказать уже в конце этого года. Устройства с низким энергопотреблением смогут освоить 32 нм техпроцесс уже в третьем квартале текущего года. Компания TSMC собирается начать выпуск 32 нм продукции в четвёртом квартале 2009 года, но сочетание high-k диэлектриков и транзисторов с металлическим затвором пока использоваться не будет.

Популярные статьи

Сейчас обсуждают