Как сообщает сайт DailyTech , компания Samsung сделала прорыв в технологии производства твёрдотельной памяти. Корейская компания разработала новый тип памяти - PRAM (Phase-change Random Access Memory), что в дословном переводе на русский означает "память с произвольным доступом и фазовым переходом". Samsung уже располагает рабочим образцом памяти этого типа, имеющим ёмкость 512 мегабит. Производитель уверен, что в ближайшие несколько лет PRAM заменит собой традиционную память типа NOR flash.

В отличие от NOR flash, память типа PRAM не стирает данные перед тем, как записать поверх новые. Это уже обеспечивает PRAM преимущество в скорости записи порядка 30 раз. Надёжность и долговечность у PRAM тоже выше - накопители на её основе могут функционировать в десять раз дольше.

Ячейки PRAM имеют вдвое меньшую площадь, а число стадий в техпроцессе их производства меньше на 20%. Это обеспечит снижение себестоимости производства и отпускной цены. По крайней мере, в долгосрочной перспективе.

Первые продукты на основе PRAM появятся на рынке в начале 2008 года. Первыми новую память примерят мобильные телефоны и прочие портативные устройства, для которых скорость работы памяти критична. В первую очередь будет освоено производство микросхем PRAM высокой плотности - от 512 Мбит.

Samsung предполагает, что наращивание плотности флеш-памяти будет идти нынешними темпами и в следующем десятилетии. На горизонте уже видны карты памяти ёмкостью 64 Гб. Появление скоростной и более доступной флеш-памяти позволит расширить её применение в ноутбуках, винчестерах и на материнских платах. Соответствующие технологии уже разрабатывают Samsung, Seagate, Intel и некоторые другие производители.