Платим блогерам
Редакция
Новости Hardware Алексей Сычёв

реклама

Хотя освоить 0.032 мкм техпроцесс компания Intel рассчитывает только в 2009 году, подготовка технологической оснастки должна начаться уже сейчас, чтобы обеспечить соответствие намеченному графику миграции на новые технологические нормы. Процессоры Intel в 2009 году могут располагать не только несколькими ядрами, но и собственным контроллером памяти и графической подсистемой. Понятно, что для ядра с такой плотностью размещения функциональных блоков нужно использовать наиболее "тонкий" техпроцесс, поэтому график освоения новых норм и этапы архитектурной эволюции процессоров неразрывно связаны.

На днях компания Intel заявила о начале очередного этапа технологической подготовки к переходу на 0.032 мкм техпроцесс. Компании Intel и Corning заключили соглашение о совместной разработке основ фотомасок для литографии с использованием сверхжесткого ультрафиолетового излучения. В связи с этим был опубликован соответствующий пресс-релиз:


Корпорация Intel и компания Corning Incorporated заключили соглашение о разработке стеклянных основ фотомасок со сверхнизким распространением тепла ULE ( Ultra Low thermal Expansion), необходимых для литографии с использованием сверхжесткого ультрафиолетового излучения (Extreme Ultraviolet, EUV). Эти основы нужны для разработки высококачественных фотомасок EUV, позволяющих наладить массовое производство полупроводниковых схем с размером узла 32 нанометра (нм).

реклама

"Опираясь на богатый опыт разработки инновационной продукции и глубокие знания оптических материалов и процессов, мы пришли к выводу, что для производства фотомасок для EUV-литографии лучше всего использовать основы ULE", — сказал Джим Стайнер (Jim Steiner), старший вице-президент и генеральный менеджер отделения специальных материалов компании Corning.

Лидерство корпорации Intel в области производства сложных полупроводниковых схем позволит компании Corning быстро реагировать на требования отрасли. В Intel рассчитывают, что благодаря этой программе совместной разработки инструментов литографии производство микросхем с использованием EUV-литографии будет начато уже в 2009 году.

"Совместные усилия компаний Corning и Intel позволят разработать стеклянные основы ULE, на базе которых можно будет создавать фотомаски для EUV-литографии", — заявил Джим Стайнер. — "Мы рады сотрудничать с лидером отрасли полупроводников, и это еще раз подтверждает нашу преданность постоянному улучшению оптических материалов для литографии".

"Одним из важнейших условий разработки коммерчески успешной технологии EUV-литографии является снижение числа дефектов в фотомасках EUV. Вместе с компанией Corning мы хотим устранить один из компонентов этой проблемы — дефекты основ масок", — заявила Дженис Голда (Janice Golda), руководитель отделения литографии корпорации Intel. — "Повышение качества масок EUV, а также усилия корпорации Intel, направленные на совершенствование источников света, литографического оборудования и фоторезиста, помогут сформировать инфраструктуру, необходимую для успешного развития и внедрения технологии EUV-литографии".

Литография используется при производстве микросхем для "рисования" схем на кремниевой подложке. В настоящее время применяются инструменты литографии, используемые для "рисования" транзисторов размером всего лишь 50 нм с длиной волны света 193 нм, что похоже на написание портрета малярной кистью. EUV-литография позволит использовать свет с длиной волны 13,5 нм (т.е. в 14 раз меньше, чем сейчас - Lexagon), благодаря чему разработчики микросхем получат очень тонкую "кисть" и смогут "рисовать" уменьшенные транзисторы.

EUV-литография была признана консорциумом International Roadmap of Semiconductor Technology самой перспективной технологией литографии следующего поколения, которая будет реализована после нынешнего поколения инструментов литографии с длиной волны 193 нм.

Сейчас обсуждают