Похоже, мало кто из компаний собирается входить в новый 2005 год с незавершенными делами. Даже если какие-то нововведения появятся от силы через несколько месяцев, официальные анонсы производители спешат сделать еще в этом году. Тем самым обозначаются приоритеты в производственной политике компании, концентрирующие внимание инвесторов, партнеров и потребителей.

Многие аналитики предсказывали, что очередной прорыв в литографических технологиях компания AMD совершит синхронно с IBM, так как последняя весьма плотно сотрудничает с первой в этой области с января 2003 года. Симбиоз двух компаний приносит неплохие плоды, и сотрудничество продлится минимум до 2008 года, когда обе компании освоят 0.045 мкм техпроцесс.

Последние сведения о сроках освоения технологии "растянутого кремния" (strained silicon) компанией AMD гласили, что первые 0.09 мкм процессоры с ее использованием появятся в конце января 2005 года, однако о массовости перехода на новое поколение техпроцесса ничего не говорилось.

Сегодня компании IBM и AMD в совместном пресс-релизе сообщили, что ими была разработана новая технология, способная улучшить производительность процессоров и оптимизировать их энергопотребление. Если отбросить всю высокопарную шелуху, которой всегда насыщены пресс-релизы, то можно говорить об официальном анонсе того самого 0.09 мкм техпроцесса второго поколения.

Сообщается, что при сохранении прежних показателей энергопотребления, новая технология позволит увеличить скорость транзисторов на величину до 24%. Не нужно думать, что частотный потенциал возрастет строго на 24%. Во-первых, называется максимальный прирост, который может быть достигнут по мере эволюционного совершенствования техпроцесса. Во-вторых, этот прирост вычислен для идеальных условий, и многие практические факторы могут слегка снизить эффект.

Заметим, что применение растянутого кремния в паре с 0.13 мкм техпроцессом при производстве процессора Athlon 64 FX-55 позволило поднять частотный потенциал примерно на 10%. Энергопотребление при этом приблизилось к предельно допустимой для процессоров этого класса величине. Несомненно, молодой и перспективный 0.09 мкм техпроцесс является более благодатной почвой для внедрения растянутого кремния, и эффективность может оказаться несколько выше, чем в случае с 0.13 мкм ядром SledgeHammer.

Если сейчас максимальная номинальная частота 0.09 мкм процессоров Athlon 64 ограничивается 2.2 ГГц, то после поднятия потолка на 24% она вполне может достичь отметки 2.6-2.8 ГГц. Грубо говоря, даже сейчас процессоры на ядре Winchester разгоняются до таких частот, но чувствуют себя при этом не очень уютно. Следует надеяться, что выпущенные по новой технологии процессоры будут более стабильно разгоняться до названных частот.

AMD рассчитывает постепенно перевести на новую технологию все 0.09 мкм процессоры. Конкретные сроки не называются, но в первом полугодии поставки первых носителей этой новации должны начаться. К середине 2005 года будут выпущены двуядерные процессоры Opteron, которые тоже будут использовать эту технологию.

Новая технология даже получила собственное имя: Dual Stress Liner. Намек на двойственность появился по причине улучшения характеристик обоих типов транзисторов, с p- и n- каналами. В одном случае атомы кремния в транзисторе сжимаются, в другом - растягиваются. По сути, "растянутым кремнием" эту технологию можно назвать лишь условно, так как часть атомов кремния все же сжимается.

Поскольку данная технология будет дополнять уже широко применяемую технологию SOI ("кремний-на-изоляторе"), то правомочно использовать комбинированное обозначение SSDOI (strained silicon direct on insulator или "растянутый кремний непосредственно на изоляторе"). Для адаптации существующего оборудования к новой технологии потребуется минимум средств и времени, так что производство новых ядер будет освоено в кратчайшие сроки. Надо понимать, что в настольном сегменте нас ожидает дебют ядер San Diego, Venice и Palermo. Предположительно, они будут поддерживать набор команд SSE3.

Новые подробности о технологии Dual Stress Liner компании IBM и AMD поведают на конференции IEDM 2004, которая будет проходить с 13 по 15 декабря 2004 года в Сан-Франциско. Мы будем следить за развитием событий.