Как известно, компания Samsung надеется в 2022 году начать производства кристаллов на основе нового 3 нм технологического процесса, а вместе с этим произойдут некоторые значительные улучшения в самой технологии построения транзисторов. Некоторое время назад уже сообщалось о том, что компания работает над своей новой технологией Gate-All-Around FET, которая призвана реализовать намного лучший контроль канала транзисторов, что в узлах малого размера должно предотвратить утечки токов. Однако сегодня в компании Samsung рассказали еще о нескольких особенностях своей новой технологии Multi Bridge Channel FET, реализация которой планируется в новейшем 3 нм технологическом процессе, который сокращенно получил название MBCFET. Благодаря отчету ресурса Hardwareluxx стало известно больше информации о технологии MBCFET и ее характеристиках.

 Первое, на что стоит обратить внимание, это то, что MCBFET является частью GAAFET, а это означает, что GAAFET является не одним продуктом, а скорее целым классом из нескольких, основанных на данной технологии концепций. Если говорить о производительности MCBFET, то в компании Samsung уверяют, что продукты, основанные на данной технологии будут потреблять на 50% меньше энергии, а производительность возрастёт на 30%. Также упаковка чипов получится более плотной, и Samsung прогнозирует, что на один транзистор понадобится на 45% меньше пространства. С каким именно 7 нм техпроцессом проводилось данное сравнение, осталось неизвестным, возможно, с техпроцессом Samsung, использующим FinFET. Технология позволяет укладывать транзисторы друг на друга, что позволяет использовать по сути меньше места по сравнению с обычным FinFET. Тот факт, что транзисторы MCBFET делают ширину транзистора гибкой, означает, что общий размер транзисторов может быть настолько широким, насколько этого требуется дизайном чипов, с учетом любого сценария, например, с низким энергопотреблением или высокой производительностью.