реклама
Samsung Electronics объявила о начале массового производства первого в отрасли встроенного флэш-накопителя eUFS 2.1 объемом 1 ТБ для использования в мобильных устройствах следующего поколения.
реклама
Накопитель eUFS емкостью 1 ТБ, объединяет в себе 16 слоев современной 5-гигабитной V-NAND флэш-памяти и новейший контроллер производства Samsung. При этом размеры накопителя остались неизменны по сравнению с предыдущей версией объемом 512 ГБ (11,5 x 13,0 мм).
Скорость чтения eUFS емкостью 1 ТБ достигает 1000 МБ/с, что примерно вдвое больше по сравнению с обычным 2,5-дюймовым твердотельным накопителем SATA.
Скорость случайного чтения увеличилась на 38% по сравнению с версией на 512 ГБ, достигнув 58000 IOPS. Скорость произвольной записи может достигать 50000 IOPS, что в 500 раз выше, чем у высокопроизводительной карты microSD (100 IOPS).
Таблица. Сравнение производительности памяти
| Тип памяти | Скорость линейного чтения, МБ/с | Скорость линейной записи, МБ/с | Скорость случайного чтения, IOPS | Скорость случайной записи, IOPS |
|---|---|---|---|---|
| Samsung 1TB eUFS 2.1 (Jan. 2019) | 1000 | 260 | 58,000 | 50,000 |
| Samsung 512GB eUFS 2.1 (Nov. 2017) | 860 | 255 | 42,000 | 40,000 |
| Samsung eUFS 2.1 for automotive (Sept. 2017) |
850 | 150 | 45,000 | 32,000 |
| Samsung 256GB UFS Card (July 2016) | 530 | 170 | 40,000 | 35,000 |
| Samsung 256GB eUFS 2.0 (Feb. 2016) | 850 | 260 | 45,000 | 40,000 |
| Samsung 128GB eUFS 2.0 (Jan. 2015) | 350 | 150 | 19,000 | 14,000 |
| eMMC 5.1 | 250 | 125 | 11,000 | 13,000 |
| eMMC 5.0 | 250 | 90 | 7,000 | 13,000 |
| eMMC 4.5 | 140 | 50 | 7,000 | 2,000 |
Samsung планирует расширить производство V-NAND памяти пятого поколения объемом 512 ГБ на своем заводе в Пхёнтэке в Корее в течение первой половины 2019 года, чтобы полностью удовлетворить ожидаемый спрос на 1 ТБ eUFS со стороны производителей мобильных устройств по всему миру.
Источник: официальный сайт компании Samsung — Samsung.com;
Оригинальная новость.
