Samsung поделилась с нами информацией о своих будущих планах, касающихся полупроводниковой отрасли, точнее о технологиях производства чипов на техпроцессе 3GAE - новый техпроцесс, который сделает существенный прорыв по производительности и энергоэффективности. Полупроводниковый гигант считает, что 3-нм техпроцесс 3GAE станет одним из самых значимых шагов за последние годы. Помимо уменьшения размеров транзисторов, Samsung прекратит использование FinFET, перейдя на MBCFET (Multi-Bridge Channel FETs), которые позволяют затвору полностью окружить проводник.

Если сравнивать 7-нм техпроцесс и 3-нм, использование MBCFET уменьшает площадь кристалла на 45%. Это дает возможность производителю размещать большее число транзисторов при использовании прежней площади. Ожидается увеличение производительности до 30% и уменьшение энергопотребления на 50% по сравнению с текущими решениями.

Samsung уже выпустила первый рабочий чип на данном техпроцессе. Полномасштабный переход на 3-нм техпроцесс намечается на 2021 год. Большим плюсом для производителей полупроводников будет то, что для создания MBCFET можно использовать текущее оборудование.