Toshiba объявила о том, что образцы её SSD XG6, первого диска с 96-слойной флэш-памятью, поставляются OEM-производителям. На более широком рынке он должен появиться в ближайшие месяцы. Новый SSD создан на базе 96-слойной 3D TLC BiCS4 от Toshiba с 40-процентным увеличением плотности по сравнению с 64-слойной памятью BiCS3 предыдущего поколения.

XG6 - это большой шаг вперед для SSD-устройств Toshiba. M.2 SSD использует тот же контроллер NVMe, который Toshiba использовала в XG5, но усовершенствования встроенного ПО и флэш-памяти, а также обновление спецификации NVMe 1.3a дали значительное улучшение. По утверждению производителя XG6 достигает скоростей 3180/2960 Мбайт/с последовательного чтения/записи и до 355000/365000 IOPS случайного чтения/записи по интерфейсу PCIe 3.0 x4. XG6 использует SLC-буфер, поэтому эти числа представляют собой наиболее оптимистичную оценку производительности. Пока Toshiba не публикует информацию о надёжности, но, поскольку XG6 предназначен для таких применений как настольные ПК и ноутбуки, можно с уверенностью предположить, что она не будет потрясать воображение. Приводы имеют пятилетнюю гарантию. Tакже в настоящее время отсутствует информация и о ценах.

Старший SSD новой серии имеет ёмкость 1 ТБ в одностороннем форм-факторе M.2, который соответствует моделям предыдущего поколения. Компания также планирует обновить свою высокопроизводительную серию XG5-P новой 96-слойной памятью, которая обеспечит максимальную ёмкость до 2 ТБ.

BiCS4 NAND от Toshiba, которую она выпускает совместно с WD, соперничает с аналогичной памятью от Samsung и партнёров Intel-Micron. Samsung - единственный поставщик, который выпускает 96-слойные кристаллы, компания добилась этого, уменьшив высоту слоев на 20%. Напротив, Toshiba/WD объединяют два отдельных 48-слойных кристалла в один конечный продукт с плотностью 512 Гбит. Это добавляет дополнительные шаги в производственный процесс, что может в конечном итоге повлиять на выход годных микросхем и, следовательно, на ценообразование. По слухам, Intel и Micron используют тот же метод объединения кристаллов со своей памятью нового поколения, но не публикуют деталей. Время покажет, какой подход более экономичен, поскольку оба подхода имеют преимущества и недостатки.

Новая память Toshiba поставляется с интерфейсом Toggle 3.0, который работает со скоростью 667-800 Мбит/с при напряжении 1,2 В, а Samsung использует более быстрый интерфейс Toggle 4.0, который обменивается данными со скоростью 1,4 Гбит/с при том же напряжении.

Toshiba/WD также недавно анонсировали новую память QLC, с использованием того же 96-слойного дизайна BiCS4, поэтому за новыми TLC накопителями со временем последуют более ёмкие модели. О новейшей флэш-памяти TLC и QLC можно будет узнать больше на саммите Flash Memory в следующем месяце.