На Международной конференции по твердотельным системам хранения(ISSCC) в рамках IEEE компания Samsung Foundry представила новый шаг в направлении создания более мелких и эффективных техпроцессов. Показанная новая микросхема представляет собой чип памяти емкостью 256 Гбайт, основанный на технологии SRAM. Однако все это звучит неинтересно, пока не будет упомянута технология, которая за этим стоит. Компания Samsung впервые изготовила микросхему с использованием технологии полевого транзистора с полным затвором (GAAFET) на 3-нм полупроводниковом техпроцессе. Формально существует два типа технологии GAAFET: обычный GAAFET, который использует нанопроволоки в качестве ребер транзистора, и MBCFET (полевой транзистор с несколькими мостовыми каналами), в котором используются более толстые ребра, которые имеют форму нанолиста.

 Сегодня Samsung продемонстрировала первый чип SRAM, в котором используется технология MBCFET. Речь идет о микросхеме емкостью 256 Гбайт и площадью 56 мм². Достижение, которым гордится Samsung, заключается в том, что чип потребляет на 230 мВ меньше энергии для записи по сравнению со стандартным способом производства, поскольку транзисторы MBCFET позволяют компании использовать множество различных методов энергосбережения. Ожидается, что новый 3-нм процесс MBCFET будет запущен в массовое производство ориентировочно в 2022 году, однако нам еще предстоит увидеть демонстрации логических микросхем, помимо SRAM. Тем не менее, даже демонстрация SRAM является большим прогрессом, и будет очень интересно увидеть, что компании удастся построить с помощью новой технологии.