Как сообщает DigiTimes, популярный производитель оперативной памяти Micron вкладывает значительные средства в увеличение производства DDR4 DRAM 1znm на своих тайваньских предприятиях в Taichung. 1z-нанометровый процесс - это новейший размер техузла в индустрии памяти, предлагающий более высокую плотность, повышенную эффективность и более высокие скорости. Стандарт 1znm охватывает размеры техузлов от 12 до 14 нм, тогда как стандарт 1-нм немного больше: от 14 до 16 нм.

По имеющимся сведениям, на этом этапе Micron фокусируется на продуктах DDR4 1znm роста производства, использующихся в модулях DRAM 16 Gb для настольных и портативных компьютеров. Как сообщают источники в DigiTimes, Micron также планирует увеличить объемы выпуска продукции с памятью 1ynm на своих предприятиях в Taoyuan, а завод Micron в Hiroshima в настоящее время занимается производством модулей памяти с низким энергопотреблением для мобильных устройств.

В настоящее время основной задачей Micron по-прежнему является производство памяти DDR4. Ожидается, что компания построит большинство своих первых продуктов DDR5 на техузле размером 1znm, однако в течение последующих 1-2 лет спрос на DDR5 еще не потребует массового производства, т.к. еще не выпущены устройства требующие их применения. Это дает Micron возможность довести техпроцесс 1znm на DDR4 до соответствия высоким требованиям памяти следующего поколения DDR5.