Тестирование и разгон CellShock DDR2 РС8000(Micron D9 GKX) и РС8500(Micron D9 GMH)

6 декабря 2007, четверг 11:15
для раздела Блоги
Уважаемые Господа оверклокеры,

сегодня я хотел-бы представить Вашему вниманию тестирование оперативной памяти от известного европейского вендора, производителя памяти для оверклокеров: MSC CellShock.
*Тестирование и написание статьи случайно совпали с тестами на Оверах, не ищите здесь взаимосвязи - ИМХО DDR2 пока актуальнее.
В тестировании принимают участие 2 комплекта по 2GB - данный объём памяти является на данный момент необходимым минимумом и является наиболее распространённым.
Участники теста – 2 комлекта верхней ценовой категории, присланные нам на тестирование MSC CellShock: старший в линейке памяти на чипах Micron D9 GMH и средний в линейке памяти на чипах GKX.
Дополнительно на тестирование меня сподвинула дискуссия в соответствующих ветках конференции о характеристиках «новых» Micron D9 – дескать более неспособных на результаты более ранних, «старых добрых» микронов.
Также, мною руководило желание ознакомить русскоговорящих оверов с новым игроком на рынке оперативной памяти, который в очень короткий срок успел завоевать доверие и уважение соответствующей профильной аудитории.
Ситуация с вендором CellShock напоминает таковую с Team Group – два года тому назад, практически никто не слышал об этих вендорах, и вдруг, в один момент они оказываются на ведущих позициях в статистиках экстремального разгона памяти и 2D-бенчмарков.

Итак начнём повествование с ознакомления с основными характеристиками тестовых объектов.
Сравнивать тестовые объекты будем с моим собственным комплектом, наиболее распространённой в Европе линейки Crucial для овеклокеров - Crucial BallistiX DDR2-800.
Для исключения вопросов типа: по какой причине сравнивается память таких разных номиналов? – обосную: данный комплект был селектированн из 40 комплектов одной партии. Сначала все комплекты были разбиты и протестированны по-одному модулю, и только затем подбирались идивидуально друг под друга.
Основным критерием отбора являлось достижение памятью максимальных частот при минимальном напряжении - данный комплект способен на частоты 1066MHz 4-4-4-12 и 1250MHz 5-5-5-15 при напряжении до 2,3V.
Память Crucial сконструированна на 6-ти слойной модифицированной печатной плате – 6-Layers Ultra Low Noise Modifidet PCB фирменного чёрного цвета. Оптический контраст между ярко-оранжевым цветом теплораспределителей и чёрным цветом печатной платы сразу-же привлекает внимание и заботится об «узнаваемости» брэнда. Память выполненна на чипах Micron D9 (дальнейшая абривеатура неизвестна...).

Вендор CellShock – в свою очередь, абсолютно не знаком в странах СНГ и в России - тем не менее, этот относительно молодой германский производитель, успел за очень короткий срок снискать огромную популярность среди европейских оверклокеров и энтузиастов.
Память данного вендора производится на мощностях известного германского концерна MSC.
Одной из отличительных особенностей памяти является строгая «ступенчатая» селекция чипов по качеству и частотам – т.е. чипы не прошедшие отбор на старшие модели, попадают на более младшие и так далее. Таким образом, можно прогнозировать свой выбор элементарно ориентируясь на ценовые показатели моделей.
Вторая особенность – «открытая» политика вендора по отношению к потребителям. В отличии от некоторых других производителей, фирма не делает никаких тайн – покупатель всегда со 100%-ной уверенностью знает на каких чипах, каких ревизий выполненна та или иная модель памяти.
Третья, последняя и в тоже время основная отличительная конструктивная особенность памяти CellShock – 8-и слойная печатная плата, 8-Layers Ultra Low Noise РСВ. Некоторые коллеги-оверклокеры считают, что данная особенность РСВ не оказывает прямого влияния на разгонный потенциал.
Я лично не могу согласиться с данным утверждением, инженеры CellShock объясняют применение восьмислойного дизайна следующими преимуществами:
- более высокая стабильность на любых напряжениях и частотах
- снижение утечки токов и уменьшение наводок
- снижение вероятности деградации чипов
- обеспечение благоприятного режима работы памяти на высоких частотах с
низкими задержками – главная коструктивная особенность РСВ CellShock

Коротко говоря, конструкторы CellShock считают дизайн собственной печатной платы более удачным в сравнении с 6-Layers Ultra Low Noise РСВ.
Естественно, что в конечном итоге результаты разгона напрямую зависят прежде всего от качества применяемых микросхем – если чипы «не гонибельные», то никакая, даже самая продуманная РСВ не поможет им «погнаться».
Тем не менее, некоторые результаты экстремального разгона памяти CellShock невозможно объяснить только отбором чипов – в сети имеются результаты экстримального разгона старших моделей до 1300MHz 4-4-4-5 на 2,7V или например 1150MHz 3-3-3-7 на 3,3V. Нередки также результаты работы памяти в режиме 24/7 на частотах 1140-1200MHz с задержками 4-4-4-12 и на напряжении всего в 2,1-2,2V.
Принимая во внимание количество выпускаемой вендором памяти (в год производится не более 1000 наименований каждой линейки) и очень малую распространённость (в десятки раз меньшую, чем у OCZ и Corsair), нельзя не отметить, что среди продукции вендора достаточно часто «попадаются» очень удачные в плане разгона экземпляры.
Качество производимой продукции, косвенно подтверждается привелегированным, тесным сотрудничеством непосредственно с Micron Tech. – например для организации серийного производства DDR3, CellShock получал от Micron чипы, которые на тот момент не поставлялись никаким другим вендорам.
Результаты разгона CellShock DDR3 – в оределённой степени подтверждают преимущества восьмислойной РСВ. До сегодняшнего дня, DDR3 данного вендора остаётся непревзойдённой по разгону с одновременным снижением задержек. Видимо, восьмислойный дизайн раскрывает свой потенциал именно при работе на высокой частоте с низкими таймингами.
Известно, что кроме CellShock, ещё только один именитый оверклокерский брэнд выпускает память на восьмислойной РСВ серийно. Речь идёт о Team Group, модельный ряд Extreem Dark DDR2-800/DDR2-1066 – характерно, что и у Team Group восьмислойный дизайн печатной платы, «перекочевал» на DDR3.


Ну да ладно, в положительном цейтноте завершаю повествование о прелестях дизайна и постепенно перехожу к рассмотрению вопросов более насущных: основные характеристики памяти, внешний вид, качество исполнения и - естественно разгон.

Для ознакомления со спецификациями памяти следующая таблицa:

ВендорСпецификацияЗадержкиНапряжение
Crucial BallistiXDDR2-800 PC64004-4-4-122,0-2,2V
CellShockDDR2-1066 PC85005-5-5-152,3V
CellShockDDR2-1000 PC80004-4-4-122,1-2,3V



Думаю, в той или иной степени все знакомы с внешним видом памяти Crucial BallistiX:
http://img518.imageshack.us/my.php?image=cbnu7.jpg

С внешним видом памяти от CellShock, предлагаю ознакомиться с помощью
приведённых ниже иллюстраций:
СellShock PC8500 выполненн на чипах D9 GMH, а СellShock PC8000 на чипах D9 GKX - выглядят они совершенно одинаково, сделанны очень добротно:
http://img518.imageshack.us/my.php?image=csnu1.jpg
Теплораспределители скреплены болтами:
http://img518.imageshack.us/my.php?image=gaikicj4.jpg
Прилегание теплораспределителей на CellShock отличное, чего нельзя сказать о Crucial BallistiX
И вообще, сами планки CellShock довольно увесистые, теплораспределители массивные, изготовленные из аллюминиевого профиля, внешний вид памяти внушает уважение.
Нагрев CellShock в режиме 24/7 минимальный – в обязательном порядке активного охлаждения не требуется.
Crucial BallistiX – достаточно сильно греется, несмотря на вольтажи до 2,3В требуется активное охлаждение модулей.

Итак, приступим к самому полезному, основному и интересному занятию - разгону.

Тестовая платформа:
http://img211.imageshack.us/my.php?image=platformpp2.jpg
CPU: C2D E6750/ Thermalright SI-128 SE/ SilverStone FM122B 120x120x35
MB: DFI LanPartyUT P35-T2R/Transpiper passive
VGA: XFX NV GF7900GS 600M/AC Accelero S1/2 x 120mm
PSU: Seasonic M-12 700W
HD: SATA Western Digital Raptor WD360ADFD
DVD: SATA LiteOn LH-20A1L
ТI: Coollaboratory Liquid Metal Pad
Открытый стэнд – Sunon на обдув памяти
*Последний BIOS Update под Yorkfild «съел» 50-70MHz по частоте памяти, но дал 200MHz по ядру, поэтому тестировать будем на нём. Несмотря на более низкую частоту памяти, появились настройки позволяющие с лихвой компенсировать «недобор» по частоте. BIOS очень "острый" и не позволяет стабильно разогнать память свыше 1160MHz на задержках 5-5-5-15 (возможно я ещё не разобрался с настройками). Зато разгон памяти на 3-3-3-9 и 4-4-4-12 стал немного легче.

Первым делом я решил погонять память на безопасных к эксплуатации 24/7 напругах до 2,3V, так как это наиболее интересно для обычных пользователей-неэкстрималов (внимание! на моей мат. плате имеет место незначительный V-DIMM Droop, поэтому без нагрузки ITE показывает 2,33V ).
Тестирование проводил последовательно, пытаясь достичь на напряжении до 2.3В максимальных частот со стандартными наборами таймингов 3-3-3-9/4-4-4-12 и 5-5-5-15. Порядок размещения скринов соответствует таблице спецификаций:

Разгон на напряжениях до 2,3В с задержками 3-3-3-9
http://img527.imageshack.us/my.php?image=cb3820wd2.gif
http://img527.imageshack.us/my.php?image=cs53820ey9.gif
http://img527.imageshack.us/my.php?image=cs43880sq6.gif
*CellShock DDR2-1000 PC8000 достиг 800МГц уже на напряжении 2,08В

Разгон на напряжениях до 2,3В с задержками 4-4-4-12
http://img444.imageshack.us/my.php?image=cb41080kk7.gif
http://img444.imageshack.us/my.php?image=cs541080fw1.gif
http://img444.imageshack.us/my.php?image=cs441140ic8.gif
*CellShock DDR2-1000 PC8000 достигает 1080МГц уже на напряжении 2,08В

Разгон на напряжениях до 2,3В с задержками 5-5-5-15
http://img444.imageshack.us/my.php?image=cb51150xk8.gif
http://img444.imageshack.us/my.php?image=cs551150wy9.gif
http://img402.imageshack.us/my.php?image=cs451150wy6.gif

Итоговая таблица разгона 2,31V

Вендор3-3-3-94-4-4-125-5-5-15
Crucial BallistiX820MHz1080MHz1150MHz
CellShock DDR2-1066/GMH820MHz1080MHz1150MHz
CellShock DDR2-1000/GKX880MHz1140MHz1150MHz



*Как я уже говорил, BIOS критически ограничивает стабильный разгон на 5-5-5-15 - очень жаль, очень хотелось-бы установить границы предельного разгона памяти на пятёрках. Со временем постараюсь вникнуть в этот вопрос - было-бы неплохо, если-бы кто-то помог разобраться с настройками памяти.
Тем не менее, преимущество CellShock DDR2-1000 PC8000 на чипах Micron D9 GKX над обоими конкурентами на чипа Micron D9 GMH неоспоримо, пока только в том случае когда речь идёт о эксплуатации в режимах 24/7.
CellShock DDR2-1000 PC8000 оказался способен на гораздо более высокие результаты при напряжении всего в 2,08-2,11В

Посмотрим на что способны конкуренты при экстримальных напряжения, ведь нет никаких препятствий для тестирования памяти на низких задержках!
Замёмся этим немедленно.
Так как частоты и вольтажи бенчинговые – стабильность буду проверять прогоном 3D Mark 06 и подсчётом Super PI 23M

3-3-3-9(Х) 2,6-2,65V
Сначала CellShock DDR2 РС8500
http://img147.imageshack.us/my.php?image=cs53920mg7.gif
теперь CellShock DDR2 РС8000 3-3-3-7
http://img147.imageshack.us/my.php?image=cs43980br8.gif
Посчёт Surer Pi 32M на частоте 980MHz 2,6V c задержками 3-3-3-7!, кто там говорил что восьмислойная РСВ ни на что не влияет? Таких частот не удавалось добиться даже на полгиговых планках! Вобще впервые вижу подобный результат.

4-4-4-12 2,6-2,65V
CellShock DDR2 РС8500
http://img147.imageshack.us/my.php?image=cs541180km1.gif
Ничё - для напруги 2,65V неплохо, я тестировал в своё время полгиговые планки Крашиал, лучшие из них были способны на 1220МHz
CellShock DDR2 РС8000
http://img147.imageshack.us/my.php?image=cs441200wu8.gif
Ну а от этих планок следовало этого ожидать.

Итоговая таблица разгона на 2,6-2,65V

Вендор3-3-3-7(9)32M4-4-4-1232M
CellShock DDR2-1066/GMH920MHz13.43,9841180MHz12.41,750
CellShock DDR2-1000/GKX980MHz13.05,9691200MHz12.31,438



Ну что, теперь можно сделать некоторые выводы.
Безусловно, память от CellShock можно считать выбором оверклокера или скорее даже выбором бенчера, очень нехватает дальнейшего разгона процессора, для того, чтобы попробовать полностью исчерпать потенциал этой памяти.
Особенно порадовал CellShock DDR2 РС8000 - как на напряжениях 2,1-2,3 для режимов 24/7, так и на экстримальных вольтажах память показывает очень неплохие результаты - снижение второстепенных таймингов минимально влияет на наращивание частоты.
CellShock DDR2 РС8500 показывает немногим лучшие результаты, чем тщательно селектированный Crucial BallistiX DDR2-800, что говорит о безусловном качестве заложенном производителем.
Моё мнение: восьмислойная печатная плата оказывает непосредственное влияние на разгон памяти с одновременным снижением задержек. Crucial BallistiX DDR2-800 требовалось для достижения результатов 900MHz 3-3-3-9/1170 4-4-4-12 - на 0,1V больше.
Снижение основных и второстепенных задержек на CellShock - не вызывает такого быстрого коллапса как на других планках.
FAQ по памяти CellShock

Вопросы и критику воспринимаю сюда
Удачного всем разгона и спасибо за внимание.
Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают