Samsung Electronics объявил сегодня о начале массового производства первой в отрасли 10-нанометровой («1y» нм), LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) DRAM 2-го поколения для повышения эффективности и снижения разряда аккумуляторов современных смартфонов и других мобильных устройств.

По сравнению с чипами памяти DRAM для мобильных устройств, которые наиболее часто используются в современных флагманских мобильных устройствах («1x» нм 16Gb LPDDR4X), LPDDR4X DRAM второго поколения обеспечивает снижение энергопотребления до 10 процентов при одновременном сохранении той же скорости передачи данных 4266 мегабит в секунду (Mб/с).

«Приход мобильной DRAM класса 10nm позволит значительно расширить решения для мобильных устройств следующего поколения, которые должны появиться на рынке в конце этого года или в начале следующего», - сказал Сьюон Чун, старший вице-президент отдела по продаже памяти маркетингу в Samsung Electronics. «Мы будем продолжать расширять линейку DRAM премиум-класса, чтобы возглавить рыночный сегмент памяти с высокой производительностью, ёмкостью и низким энергопотреблением, и тем самым удовлетворить рыночный спрос и укрепить нашу конкурентоспособность».

Samsung будет расширять линейку DRAM премиум-класса, которая основана на 1y-нм процессе более чем на 70 процентов. Эта инициатива началась с массового выпуска первых в мире чипов DDR4 10-нм класса ёмкостью 8 Гбит в ноябре прошлого года и продолжается с 16 Гбит чипами LPDDR4X для мобильной памяти всего восемь месяцев спустя.

Samsung заявил, что создал 8GB LPDDR4X микросхему, объединив четыре 16-гигабитных чипа. Этот четырехканальный пакет может обеспечить скорость передачи данных 34,1 ГБ в секунду, а его толщина была снижена более чем на 20% по сравнению с пакетом 1-го поколения. Это позволяет OEM-производителям разрабатывать более тонкие и одновременно более эффективные мобильные устройства.

Благодаря своим достижениям в области LPDDR4X, Samsung будет быстро расширять свою долю мобильной DRAM на рынке, предоставляя разнообразные продукты большой ёмкости, в том числе 4 ГБ, 6 ГБ и 8 ГБ. Чтобы обеспечить стабильную поставку всех мобильных чипов DRAM в ответ на растущий спрос компания Samsung начала эксплуатацию новой производственной линии DRAM в Pyeongtaek, Корея.