[S2DDHT] TurboTest. Performance Mode = Turbo. Тестирование памяти.

10 сентября 2005, суббота 14:05
для раздела Блоги
[S2DDHT] TurboTest. "Performance Mode = Turbo" Тестирование памяти.

Люблю чего-нибудь потестировать...
В данной работе я решил протестировать оперативную память (и т.д.) программой Everest, при различных настройках таймингов памяти и значениях параметра Performance Mode (далее PM). Такой параметр есть на многих* (например P4P800/P4C800 семейства) материнских платах ASUS.

Для чего? Ну, во-первых, См. первую строку. Во-вторых, чтобы узнать: что лучше и как оно вообще влияет. И в-третьих: потому как многим стали интересны подробности моего личного тестирования. Проблема в том, что многие модули памяти не держат параметр PM ни в режиме Turbo, ни в режиме Standart, а только в Auto (он же Disabled). Особенно на Мат платах P4P800 семейства, была даже статья, в которой говорится, что у них более высокие требования к памяти. Да. Протестировав много мат плат ASUS, я сам заметил что PM работает по-разному на разных моделях МП. К счастью, у меня мат плата ASUS P4C800-E Deluxe, лучшую для такого тестирования и не придумаешь .

Ещё один важный момент это Intel PAT, дело в том что официально (обычно/стандартно), технология PAT работает только на системной шине (далее FSB) 200MHz. На самом деле на этой мат плате (i875P чипсет). Он так же работает и на меньшей FSB, кроме того, считается так же что PAT отключается при использовании множителей частоты памяти (делителей) отличных от 1:1. На самом деле, опять же, это не так. Он тут всегда работает. Интересным остаётся поведение PAT на частотах FSB выше 200MHz. Потому как обычно он просто выключается. Мною было выяснено методом Научного тыка, что во многих случаях на P4C800 серии (i875P чипсет) на частотах FSB выше 200MHz PAT удаётся сохранить. Причём зависит это практически не от настроек и параметров в BIOS'е, а от самой памяти. Во-первых: если у вас установлено 4 планки памяти, то вам не удастся сохранить PAT на частоте выше 200MHz, мало того он выключится даже на 200MHz, включить его можно путём выставления PM в Turbo, при этом сам PM не будет активирован, о чём свидетельствуют показания утилиты i865 Tweaker (DRAM Latency Parameter; 11 - Turbo, 01 - Disabled). Во-вторых: если вы используете 2 планки памяти, то PAT вам будет просто доступен на любой частоте, что бы вы не делали, кроме, конечно, его принудительного отключения. И в-третьих: параметр PM на частотах выше 200MHz задействовать невозможно*. Таким образом, получается, что как раз-таки капризным становится PM, а не PAT. * - Есть такой метод, позволяющий сохранить ВСЕ, даже не известные нам оптимизации для FSB 200MHz при разгоне - это разгон с помощью утилиты ClockGen, из Windows, загрузившись на FSB 200 со всеми включёнными оптимизациями, правда у меня получилось погнать систему мегагерца на 3, потом последовал синий экран , да я сомневаюсь, что даже на 201 она была стабильна.

Конечно, все эти ухищрения с задержками памяти, параметрами: PAT (в BIOS'е за него обычно* отвечает Performance Acceleration Mode), Performance Mode, и другими.. ДА и вообще с разгоном ( OverClock ) нужны только нам... Оверам, в которых живёт стремление выжать всё по максимуму, подогреваемое мужским духом соперничества. Ну и пусть: 1) Пригодится, 2) Не помешает. ГЫ!. А вот информация, насчёт влияния самой памяти на производительность пригодится и простым пользователям (простым - оставляющим все настройки в BIOS в default).

Итак, известно следующее. Найдено, опять же, методом Научного тыка. Параметр Performance Mode имеет 3 значения: Auto, Standart и Turbo. Причём, по моим наблюдениям, последние 2 работают одинаково, хотя я могу тут и ошибаться. Ещё один интересный момент: если задержки в SPD или выставлены вручную в 3-3-3-8, то при включении PM они выставляются в 2.5-3-3-6. А так же все другие не ниже 2.5-3-3-5 так же выставляются в 2.5-3-3-6. Видимо при такой конфигурации задержек этот самый PM и имеет место быть. То есть при такой настройке его работа оптимальна. Что касательно 4х планок памяти при включении PM, как я уже писал, включится PAT, а задержки останутся неизменными. Напомню, что все манипуляции с параметрами делаются в BIOS'e, так как далее срабатывает определённая логика, которую я тут и разбираю, а манипуляции из Windows грозят плохим разгоном. Есть ещё одна маленькая особенность, при включении PM не в Auto (во всяком случае на P4C800-E) отключается Thermal Monitor 1 (если его поддерживает процессор), и вместе с ним Throttling. Включить его можно программно из Windows с помощью RMClock'а.

Перед, непосредственно, оглашением результатов тестирования: жаль, что не оказалось модулей памяти работающих на задержках 2-2-2-5 как DDR400. Тестирование проводится на частоте FSB = 200 MHz. Потому как (вроде) не требуется что-то разгонять, ну скажем, это будет полезно тем, у кого процессор работает на 200MHz шине, и гнать они ничего не хотят (дальше ). Хотя на самом деле тестирование проводилось так же и на остальных (больших/меньших) частотах и делителях, для выявления вышеупомянутых особенностей.

Конфигурация:
Материнская плата: ASUS P4C800-E Deluxe (Socket 478, Чипсет i875P).
Процессор: Intel Celeron D 320 2.40GHz (Работающий на шине 200MHz, c частотой 3.6GHz).
Windows XP Professional Service Pack 2.
Everest Home Edition v2.02.391 Beta (есть уже более новая версия, дело в том, что сначала проводились тесты, а уж потом собиралась информация и писалась статья).

Тестирование проходит оперативная память:
1) Hynix BT-D43 512MB односторонняя планка. Программой Everest установленные две планки в двухканальном режиме определяются как 1 разъём памяти по 1024Мб.
2) Samsung TCCC 512MB двухсторонняя планка. Программой Everest установленные две планки в двухканальном режиме определяются как 2 разъёма памяти по 512Мб.
3) Kingston HyperX 3500 256Mb 8-и чиповая чересполосная (односторонняя) планка.
4) Так же в тестах участвовало две односторонние планки Samsung UCCC по 512MB, но результаты на графиках не отражены.

Настройки памяти по умолчанию (те, что одинаковы во всех тестах):
FSB = 200MHz (199.9).
Множитель 1:1 -> DDR400.
DDR Reference Voltage: 2.85v.
Active to Precharge (tRAS) Max = 70µs.
Refresh Mode Select (RMS) = 15.6µs.
Intel PAT = Enabled.
DRAM Burst Length = 8.
DRAM Idle Timer = 64T.
Write to Read Delay (tWTR) = 0.
Write Recovery (tWR) = 3.

Эти настройки были выставлены в BIOS'е либо обнаружены в различных программах, таких как i865 Tweaker и RMMA. Решено было их оставить неизменными, для того чтобы проверить влияние основных таймингов, и функции PM. Причём я не стал проверять работу этого параметра в режиме Standart, посчитал это лишним, промежуточным. Всё равно вся память, что у меня когда-либо была, если не заводилась на Turbo, то и не заводилась и на Standart. Причём проверялось это на материнских платах ASUS P4P800, P4P800 SE, P4P800 Deluxe, P4P800-E Deluxe, P4C800-E Deluxe. Как я уже писал (да и не только я), менее требовательной при этом оказалась последняя плата.

Сначала подробнее о модулях памяти.
1) Hynix BT-D43 512MB односторонняя, выполнена на обычном двухстороннем дизайне, с использованием тонкоплёночных резисторов.
SPD: 200 @ 3-3-3-8; 166 @ 2.5-3-3-7; 133 2-2-2-6.


2) Samsung TCCC 512MB двухсторонняя, выполнена на обычном двухстороннем дизайне, с обычными резисторами.
SPD: 200 @ 3-3-3-8; 166 @ 2.5-3-3-7;


3) Kingston HyperX 3500 256Mb 8-и чиповая чересполосная (односторонняя), основана на чипах Winbond CH-5, голубые алюминиевые радиаторы, обычные резисторы.
SPD: 200 @ 2-3-3-8; 217 @ 2.5-4-4-9;


В отличие от остальной памяти эта имеет Activate/AR to AR (tRFC) 65ns против 70ns.

4) Samsung UCCC 512MB односторонняя, выполнена на усложнённом одностороннем дизайне, обычные резисторы. Все свойства сходны со свойствами Samsung TCCC, даже тесты скорости.


Зависимость производительности памяти от задержек и параметра PM.
Сначала одноканальный режим.
Чтение из памяти:

Наглядно то, что при понижении задержек производительность растёт, а так же что при активировании режима PM производительность растёт стремительно. Примечательно, что память Samsung ведёт себя достаточно уверенно, ещё на высоких задержках. К сожалению не вся память Samsung TCCC в режиме Turbo стабильна, можно быть более уверенным в памяти произведённой недавно, в 2005 году (на маркировках 5xx), а так же память на чипах UCCC, подробнее в теме Обсуждение оперативной памяти на чипах Samsung (НЕ TCCD). К сожалению, эта память обычно как DDR400 категорически не держит задержки ниже 2.5-3-3-5, но по каким-то причинам её производительность в Turbo режиме более чем удовлетворительная. Интересно, какова была бы производительность этой памяти на ещё более низких задержках. Потому как результат 3127 Мб/с, при максимально теоретических 3200 впечатляет. Эффективность в этом случае = 97.7%. Не скрою, что это меня очень заинтересовало и я подгонял настройки под "лучшие для чтения", мне удалось добиться ~ 3134.

Запись в память:

Абсолютно схожая картина. Только в этот раз память Samsung чувствует себя намного увереннее с самого начала!! Посмотрите совсем без разгона, на дефолтовых в SPD задержках 3-3-3-8 эта память ведёт себя на уровне Hynix DDR400 @ 2-3-2-5 Turbo.

Задержка памяти:

Общая картина схожа, но простое изменение задержек слабо влияет на результаты теста. Катастрофически влияет параметр PM позволяющий понизить латентность памяти на 4-5ns. Лидером в режиме Turbo остаётся память Samsung (ну что бы вы не делали).


Двухканальный режим.
Чтение из памяти:

Есть некоторые непонятные моменты, но это лишь нюансы. Память Samsung даже не в режиме Turbo опережает разогнанную в полусмерть Hynix. Эффективность 92.8%.

Запись в память:

Hynix резко реагирует на CAS Latency 2, прибавляя больше 100Мб/с по записи в память. Samsung практически не реагируя ни на что, как всегда впереди паровоза, но за счёт низких задержек и производительно режима (что очень любит чипсет) память Hynix выигрывает этот заезд.

Задержка памяти:

Как и ожидалось, сильное влияние оказывает режим Turbo.

Так же проводились тесты 4х односторонних планок (2х Hynix + 2х Samsung UCCC). Но результаты остались только в памяти (в оперативной, конечно, но человеческой). Об этом тесте у меня только хорошие впечатления, по-моему результаты только возросли и оказались ещё больше чем у 2х каких-либо планок. Так же, исходя из графиков, можно было догадаться, что 4 планки Samsung дали бы максимальные результаты.

Ещё был проведён тест 2х Hynix + 2х Samsung TCCC. Память имеет разную плотность, что очень негативно сказалось на результатах: DDR400 @ 2.5-3-3-6 Everest: 5514/1711/82.6 - Turbo режим был, естественно, недоступен, даже за счёт манипуляций из Windows (BSOD ), отсюда совет не ставить память разной плотности.

Так же я собирался провести испытание влияния технологии PAT на производительность. Об этом уже много писали, + Intel заверяет всех, что это даёт около 5% прироста в большинстве приложений. Но в форумах я находил достаточно противоречивые высказывания. Я сделал несколько тестов и в правду в некоторых случаях без PAT производительность была выше. Хотя так же я замечал что, в общем, на производительность системы PAT влияет не отрицательно. Например, в тестах латентности памяти Everest без PAT однозначно худшие результаты.

Ну что ж. Пора подвести итоги. Всё оказалось довольно предсказуемо. Некоторые моменты были просто немного странными, в частности включение PAT, сохранение PM и отключение при этом TM1 .
1) Память бывает разной, мало того, что она по разному гонится. Так ещё и по разному она ведёт себя в номинальном режиме.
2) Память на чипах Samsung TCCC/UCCC очень порадовала своей номинальной производительностью, при чём память вроде как бюджетная, а показывает очень неплохие результаты.
3) 4 планки памяти могут лишить вас производительных режимов, но имеется возможность сохранить PAT, к тому же 4 планки Samsung могут эту трудность восполнить.
4) Использование памяти разной плотности приводит к катастрофическому падению производительности. А в случае если вы захотите получить двухканальный режим из двух планок разной плотности, то у вас напротив ничего не получится, и вы сделаете себе только хуже.
5) Возможно следует учитывать некоторые особенности работы/включения функции PAT при выборе конфигурации памяти. Например, с 4мя планками в разгоне не будут доступны ни PAT ни PM. А с двумя PAT сохранится. Особенно это критично для людей, у которых 4 планки по 256Мб, вместо 2х по 512Mb, либо вообще 2х по 1Gb.

Всём спасибо. Особенно тем, кто прочитал статью от начала до конца. А ещё тем людям, благодаря которым я узнал некоторые особенности как мат. платы так и памяти.

Если кого заинтересовали использовавшиеся мною программы, то вот ссылки:
- RMMA
- i865 Tweaker
- Everest
- ClockGen
- RMClock

Материалы для статьи были получены:
1) Методом Научного тыка.
2) От друзей и коллег из S.O.T.
3) С форумов OverClockers.Ru
4) С форумов ASUScom.ru
Оценитe материал

Возможно вас заинтересует

Популярные новости

Сейчас обсуждают