На днях Samsung представила новый тип памяти третьего поколения 2E под названием Flashbolt. Модуль HBM2E объёмом 16 ГБ найдет своё применение в составе суперкомпьютеров, использующихся для аналитических вычислений больших объемов данных и в новейших графических решениях. Предшествующий модуль HBM2 Aquabolt имел объём 8 ГБ и уступал как по производительности, так и по энергоэффективности. В официальном пресс-релизе компании сообщается, что вдвое больший объем был достигнут за счет вертикального размещения восьми слоёв DRAM-чипов на матрице, точность техпроцесса при этом составляет 10 нм. Между собой модули HBM2E связаны более чем 40 тысячами кремниевых отверстий, идущих насквозь, на каждый из кристаллов их приходится около 5600. 

Скорость передачи данных у чипов нового типа составит 3,2 Гбит/с, это было реализовано за счет оптимизации схемы передачи сигналов. Максимальная возможная скорость составит 4,2 Гбит/с. Максимальная скорость на стек, отображающая пиковую пропускную способность при работе с приложениями, полученная в результате тестов, составила 538 ГБ/с на стек, что в 1,75 раза больше, чем у чипов Aquabolt (307 ГБ/с). Однако, от выпуска Aquabolt компания Samsung тоже не намерена отказываться в ближайшее время. Массовое производство чипов Flashbolt начнется в ближайшие полгода.